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电沉积ZnO纳米棒阵列膜制备及其透光性能研究,透光石,不透光烟度计,透光软膜天花,透光板,透光膜吊顶,透光膜装饰,透光膜灯箱膜,透光率,透光云石
第 14卷 第 4 期 电化学 Vol. 14 No. 4
2008年 11月 EL ECTROCH EM ISTRY Nov. 2008
文章编号 : 1006347 1 (2008) 040394 04
电沉积 Zn O 纳米棒阵列膜制备及其透光性能研究
叶 锋 , 李晶晶 , 王同涛 , 王永亮 , 刘 芸 , 王新东
(北京科技大学冶金与生态工程学院物理化学系 , 北京 100083)
应用阴极恒电流电沉积法 , 以 ZnCl 水溶液为电解液 ,在经预处理的 ITO 导电玻璃上制备 ZnO 纳米
摘要 : 2
( ) ( )
棒阵列 ,扫描电子显微镜 SEM 、X射线衍射 XRD 及透射光谱等测试表明 , ZnO 纳米棒阵列具有 c轴高度择
优取向 ,呈六方纤锌矿结构. 当入射光波长大于 380 nm 时 , ZnO 纳米棒阵列的透光率大于 95% ,并且禁带宽度
变窄.
关键词 : ZnO 纳米棒阵列 ; 电沉积 ; 预处理 ; 透光性
中图分类号 : O646 文献标识码 : A
ZnO 是一种宽禁带 ⅡV I族半导体材料 [ 1 ] ,来 1. 1 试剂和仪器
源丰富、无毒 、无害 、无污染 ,在短波长光电器件 、化
( ) (
ZnC l 北京化学试剂公司 , KC l 北京化工
2
学传感器 、光伏器件等领域具有广泛 的应用前
) ( ) (
厂 , CH CH OH 北京化工厂 , CH COCH 北京
3 2 3 3
景 [ 24 ] . 室温下 ZnO 禁带宽度为 3. 37 eV [ 5 ] ,呈六方
)
化工厂 , 以上试剂均为分析纯 ,溶液用二次去离
纤锌矿结构 , 晶格常数 a = 0. 325 nm , c = 0. 52 1 子水配制.
nm ,其激子束缚能高达 60 m eV [ 6 ] ,远远超过 ZnSe 电化学测量使用 电化学工作站 VM P2 M u lti
(22 m eV ) 和 GaN
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