锂磷氧氮(LIPON)离子导体薄膜的脉冲激光沉积制备.pdfVIP

第32卷增刊 中国科学技术大学学报 V01．32 Supp UNIVERSITYOF AND OF SC】LENCETECHNOLOGYOF 2002年12月JOURNAL CHINADec．2002 文鞋编译：0253-2778(2002)增-0136-06 锂磷氧氮《LIPON)离子导体薄膜 的脉冲激光沉积制备· 傅正文，赵胜利，秦启宗 (复旦大学化学系撒光化学研究所，上海200433) nm脒 摘要：为了研期快锂离子传导的薄膜电辉质，论文首次农N：环境下，采用355 冲激光烧蚀Li，P04靶的方法，成功地制务了具有怏u离子导体特性的LIPON薄戚． Pa时稍备 流阻抗谱为单相离子导体谱，由脉冲激光沉积(PLD)法在N：压力30 LIPON薄膜的室温导电率为1．4×10。。S／cm。沉积LIPON薄膜的离子导电率每PLD 的条件春关，N：气压走，沉积UPON薄膜中瓣含量多，离子导电零凌．在LIPON薄 膜中N一(P，)结构的形成可能对高￡，i+传导性能赶主要作用， 关键词：娌磷氧氮；脉冲激光沉积；离子导体 中圈分类号：0532+．25文献标识码：A 0蓠言 Oxynitride)是一种稳定的无机 玻璃态锂磷氧氮Li3P04N；(LIPON，LithiumPhosphoro,,is 电解质，具有离子导电率高、热力学和电化学性能稳定等优点．自美国橡树岭国家实验室用 If溅射法成功研制该快离子导体薄膜以来，它已成为全固态薄膜锂电池中最佳的固体电解 质”。2．在制备LIPON薄膜的方法中，通避rf溅射毽粉。靶，在N：或珏e+N：环境下熊够最 瘟槛混稷LIPON薄骥，已残秀一个普速戆方法．Choi等人璎究了蠢溅射法反瑾性沉积 地制备了LIPON薄膜”】．脉冲激光沉积法(PLD)是一种设备比较简单，但能有效地制备各 种多组分化合物薄膜的方法．我们使用该方法成功地翩备各种薄膜电裰”’．本文首次尝试 采席P1．D法制备其有快离子等俸特性静LIPON薄膜，并裙步缝探讨了它懿离予导毫率增 强酶撬理． 2008300l，No -蔫盒硪戳：国家自然科学纂金资助项目(No 槔誊麓赍：傅撼交，男，19锻年生t博士t割教授·研究方期；激光化学，电化学与薄膜物理化学性质 net E-mail：zh“en@shl63 增刊 锂磷氧氮(LIPON)离子导体薄膜的脉冲激光沉积制备 137 l实验部分 脉冲激光沉积薄膜在不锈钢反应室内进行．355 nm脉冲激光由一台Nd：YAG(Spectra Physics)产生的基频经三倍频后获得，频率与脉宽分别为10Hz和8IlS．激光束以45。入射角 聚焦在可转动的靶上．激光输出的能量由脚7200型能量计测定．沉积所用的激光能量密度 为3J／cm2．由一针阀控制通入反应室的高纯氮气体流量．薄膜沉积在镀铝的玻璃基片上，基 ChemicalCorn— 片与靶的距离为4cm，沉积时基片温度为室温．靶材料由进口Li，PO。(Aldrich h制得．扫描电子显微镜(SEM，Cam— pany，美国，99．99％)粉末压成圆片，经600℃退火2 S一360，美国