管式PECVD+流量对太阳电池氮化硅膜影响的工艺研究.pdfVIP

2011年十一月刊 Solarzoom光伏杂志 技术工艺/Technical process 管式PECVD流量对太阳电池氮化硅膜影响的工艺研究 深圳市大族光伏科技股份有限公司 李军阳 摘要： 　　3 活性基团也可以与其他气体分子或活性基 　　本文针对目前国内在太阳能电池行业使用管 团发生相互作用，进而形成沉积所需的化学基团。 式 PECVD 沉积氮化硅减反射膜时为了实现均匀性 　　4沉积所需的化学基团扩散到衬底表面。 而随意调整工艺气体流量而做出实验性分析，避 　　5 气体分子也可能没有经过活化过程而直接 免在工艺过程中发现电池转换效率下降了而难以 扩散到衬底附近。 找到原因。通过改变工艺气体的流量，对各项技 　　6气体分子被直接排出系统之外。 术指标进行测量分析，结合国内外的一些文献， 　　7 到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉 得出了工艺气体流量对氮化硅膜的直接影响，同 积反应并释放出反应产物。 时也直接导致了电池转换效率的变化。通过这些 研究为制备高性能电池减反射膜提供实验基础， 　　假设一个极端的情况：假设在衬底表面处， 为我国的太阳能电池转换效率进一步提高提供一 反应进行得很彻底，没有残余的反应物存在；假 条途径。 设在装置的上界面Y=B处，物质的扩散项等于零； 关键词：等离子体增强化学气相淀积；PECVD； 假设输入气体的初始浓度为 c0。可以得到如式 太阳电池；氮化硅 （1）： 0.引言 　　氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化 膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用 PECVD 来制备的氮化硅膜，是以 SixNyHz 方式来 表达的，其中的 x,y,z 的数值直接影响了膜的光 学性能和对晶体硅太阳电池表面和体内的钝化作 　　这一结果表明，沉积速率将沿着气体的流 用，因为其数值对于膜的折射率、消光系数、致 动方向呈指数形式的下降，如图 1 所示 , 其中 密性都有直接的影响，本文的目的就是研究工艺 V1~V4为气体流速,且V4V3V2V1，L为流动方 气体流量对膜性能的影响。以实验的数据来阐述。 向的长度。可以理解，原因的产生是反应物随着 距离的增加而逐渐贫化，因此当流速太低时，尾 1机理分析 部的气体浓度迅速减少而导致尾部的生长速度变 1.1气体的输运 慢；当提高流速时，尾部的气体浓度没有明显降 　　在 CVD 系统中，气体的流动处于黏滞流的状 低而显著提高生长的一致性。 态。气体的输运过程对薄膜的沉积速度、薄膜厚 度的均匀性、反应物的利用效率等都有重要的影 响。 　　气体在 CVD 系统中发生两种宏观流动，一是 外部压力造成的压力梯度使气体从压力高的地方 向压力低的地方流动，即气体的强制对流。二是 气体温度的不均匀性引起的高温气体上升、低温 气体下降的流动，即气体的自然对流。 　　对一般尺寸的CVD反应容器（直径430mm内） 图1 气体流量对沉积速率的影响 来说，在流速不高（约10cm/s）时，气体将处于 黏滞流的层流状态。 　　根据这现象，提高薄膜沉积均匀性的措施有： 提高气体流速和装置的尺寸 B；调整装置内温度 1.2PECVD过程中的微观过程 分布，影响扩散系数的分布。 　　1 气体分子与等离子体中的电子发生碰撞， 产生出活性基团和离子。