电工学 第十四章.pptVIP

14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? {end} 解：（a）在图中，DZ1和DZ2工作在反向击穿区，因此VO的电压值 为：VO=V Z1+V Z2=5+10=15V； （b）在图中，DZ1和DZ2工作在正向导通区，因此VO的电压值为： VO=0.7+0.7=1.4V； （c）在图中，考虑到V Z1＜V Z2，DZ1反向击穿后V Z1=5V，此时DZ2处于截止状态，因此VO的电压值为：VO= V Z1=5V； （d）在图中，DZ2工作在正向导通区，DZ1处于截止状态，因此VO的电压值为：VO= 0.7V。 例2：设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和10V，试求下列各图中的输出电压VO。已知硅稳压管的正向压降为0.7V。 4 其它二极管 1.太阳能电池 2.光电二极管 I U 照度增加 符号 光电二极管 光电二极管将光能转换为电信号， 它工作于反偏状态，反向电流随光照而变化,反向电流随光照强度的增加而上升。 符号 3.发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA 发光二极管 将电能转换为光能。单片LED显示文字和数字 5.肖特基二极管 肖特基势垒栅二极管也称肖特基二极管 伏安特性与普通二极管相似。 与普通二极管区别： 二极管开关时间少。 反向饱和电流较普通二极管大得多。 主要用于集成电路。 将LED置于光学腔体，产生频带很窄的光子，即激光二极管，用于光通讯中。激光二极管发射的是红外线。如:计算机的光盘驱动器,激光打印机的打印头 4.激光二极管 半导体二极管图片 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE