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维普资讯 多孔硅 电学特性研究 9 多孔硅 电学特性研究 InvestigationoftheElectricalProperties ofPorousSilicon 房振乾，胡 明，刘 博 ，宋 阳 (天津大学 电子信息工程学院，天津 300072) FANG Zhen—qian，HU M ing，LIU Bo，SONG Yang (SchoolofElectronic InformationEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China) 摘要 ：采用双槽 电化学腐蚀法制备多孔硅材料 ，形成 了Pt／多孔硅 ／P 型单 晶硅 ／多孔硅 ／Pt的样 品微结构 。主要研究了 腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横 向 y特性的影响。结果表明该微结构横 向 y特性主要 由多孔硅层 的电学特 性所决定，呈现出非整流 的欧姆接触特性 。 关键词 ：多孔硅 ；双槽 电化学腐蚀法 ；y特性 ；欧姆接触 中图分类号 ：0472；0478 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—4381(2008)02—0009—05 Abstract：Poroussilicon (PS)waspreparedinadouble—tankcellbyusing theelectrochemicalcorro- sionmethodandthesampleswithaPt／PS／P 一Si／PS／Ptmicrostructurewereobtained．Theeffectsof theetchingconditionsandpost—oxidation processofPS on thetransverse characteristicsofthis kindofmicrostructurewerethoroughlyinvestigated．Itwasshownthatthetransverse character— isticsofthiskindofmicrostructureweremainlydecidedbytheelectricalpropertiesofPSunderlayer， which hadnonrectifyingpropertiesofohmiccontacts． Keywords：poroussilicon；double-tank electrochemicalcorrosionmethod； characteristics；ohmic COntart 多孔硅 (PorousSilicon，PS)具有大 的表面 比、高 1 实验 效率 的发光特性 、良好的化学稳定性 以及与传统 IC工 艺的兼容性 ，使其作为一种全新 的材料在光 电转换技 实验中采用双槽 电化学腐蚀法制备多孔硅 ，所用 术 ]，SOl技术口以及传感器技术 等众多方面得 硅片为单面抛光的P (100)单 晶硅片，厚度为 380～ 到了广泛的应用 。 420~m，电阻率为 I×10 ～2×10 Q ·cm，腐蚀液为 金属一多孔硅一单 晶硅 (Metal-PS-Si，MPS)微结构 体积 比为 I：I的40 (质量分数)的氢氟酸与 99．7 是多孔硅基微器件的基本结构形式 ，对 于这些多孔硅 (质量分数)的无水 乙醇的混合液，所施加的电流密度 基微器件来说，都需要稳定 的电接触 。由于载流子 的 分别为 40，80mA／cm 和 100mA／cm ，腐蚀时间均为 输运对这些多孔硅基微器件的发展和性能