非水体系电沉积稀土填充半导体热电材料bi2sb3lax及其电性能研究.pdfVIP

维普资讯 非水体系电沉积稀土填充半导体热 电材料 BizsbLa及其 电性能研究 29 非水体系电沉积稀土填充半导体热电材料 Bi2Sb3La及其 电性能研究 E1ectr0dep0siti0n0fBi2Sb3La ThermoelectricM aterialsin NonaqueousSystem anditsElectricityCharacterizati0n 龚晓钟 ，汤皎宁 ，李均钦 ，梁文涛 (1深圳大学 化学与化工学院，广东 深圳 518060； 2深圳大学 材料学院深圳市特种功能材料重点实验室，广东 深圳 518060) GoNG Xiao—zhong ，TANG Jiao—ning ，LIJun—qin ，LIANGW en-tao (1CollegeofChmistryandChemicalEngineering，ShenzhenUniversity， Shenzhen 518060，Guangzhou，China；2ShenzhenKeyLaboratoryofSpecialFunctional Materials，CollegeofM aterial，ShenzhenUniversity，Shenzhen518060，Guangzhou，China) 摘要 ：在尿素一NaBr-KBr-甲酰胺体系中用工艺设备简单、成本低 的电沉积方法制备 BizSbL 合金薄膜 。通过 EDS对电 沉积薄膜的组成进行 了研究，结果表 明：采用控 电位沉积模式，可实现铋、锑 、镧三元共沉积 ，生成 BizsbLa合金薄膜 。 通过调节沉积液 中各物质的配 比控制 BizsbL 合金薄膜的稀土 La填充量 ，稀土元素 La的最大填充量为 4．61 (原子 分数)。电沉积时间和电流密度对合金薄膜形态有影响，SEM观察沉积薄膜在 电流密度为 2000A ·m ，电沉积时间为 90s时表面分布均匀。沉积膜涂覆聚乙烯醇膜后进行 XRD分析 ，图谱显示所得到的沉积物是 由菱形 BiSb和六方结构的 单质 La组成 。探索了La的填充量对 BizsbL 合金薄膜 电性能的影响。 关键词 ：电沉积 ；稀土元素 ；热 电材料 ；非水体系；电性能 中图分类号 ：0614．41；TB383 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001-4381(2008)05-0029-05 Abstract：Bi-Sbsemiconductoralloyswereexcellentthermoelectricandmagneticmaterialand impor— tantforthepiecesofsolid-staterefrigerationdevice，thermoelectricgenerator，electricalandmagnetic materials．Electrochemicaldeposition thin film techniquewassimpleand low cost．Theprocessof producingBi2Sb3La alloythinfilm underelectrodepositionalinnonaqueoussystem wasstudied．Itdid researchtheratioofsolutionandtheelectrodepositiontimeandthecurrentstrengthtothealloythin film form．Thenfinallyfigureoutthebestconditionsforelectrodeposition．TheEDSanalysisshowed thattheBi—Sballoyfilm ’Sratiowas2：3．Thealloyfilm wasprovedthesurfacewasuniform forma— tio