溅射压强对低阻高透过率掺钛氧化锌透明导电薄膜的影响.pdfVIP

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2015-09-11 发布于湖北
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溅射压强对低阻高透过率掺钛氧化锌透明导电薄膜的影响.pdf

第39卷第1期人工晶体学报 v01．39No．1 2010年2月 JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS February．2010 溅射压强对低阻高透过率掺钛氧化锌透明导电薄膜的影响刘汉法，袁玉珍，张化福，袁长坤 (山东理工大学理学院，淄博255049) 摘要：利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的掺钛氧化锌透明导电薄膜(ZnO：Ti)。研究了溅射压强对ZnO：Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明，溅射压强对ZnO：Ti薄膜的结构和电阻率有显著影响。x射线衍射(XRD)表明，ZnO：Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有c轴择优取向。在溅射压强为5．0 X104 Pa时，实验获得的ZnO：Ti薄膜电阻率最小值为1．084Q·em。实验制备的ZnO：Ti薄膜具有良好的附着性能，可见光区平均透过率超过9l％。ZnO：Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。关键词：ZnO：Ti薄膜；透明导电薄膜；溅射压强；磁控溅射中图分类号：0484 文献标识码：A Influenceof Pressureonthe of Properties Sputtering Transparent Conductive ZincOxideThinFilms Titanium-doped LIU Yu-zhen，ZHANG胁船缸，YUAN Han-fa，YUAN Chang-kun (SchoolofScience，ShandongUniversityofTechnology，Zibo255049，China) 22 23November (ReceivedMay2009，accepted 2009) zincoxidefilmswith and Abstract：Transparentconductingtitanium-doped hi【shtransparencyrelatively low hadbeen DC atroom resistivity successfullypreparedby magnetron sputteringtemperature．Micro— andelectrical ofZnO：Tifilmswere indicatethat structural，opticalproperties investigated．SEMphotos the an roleonthemicrostructureandelectrical ofZnO：Ti sputteringpressureplaysimportant resistivity from films．’11leelectrical decrease