节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析.pdfVIP

第56卷第11期2007年11月 物理学报 Vol 1000．329012007／56(11)／6588-0d Chin See． ACTAPHYSICASINICA @2007Phys 节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析“ 王 颖 章岳光+ 刘 旭 陈为兰 厉以字 (浙江大学现代光学仪器国家重点实验室，杭州31(帅27) (2007年1月5日收到；2007年4月10日收到修改稿) 运用时域有限差分(rOTO)方法建立了薄膜中节瘤缺陷在高斯激光照射下电磁场响应模型，分析了节瘤的深 度、起始颗粒大小和入射光角度对薄膜中电磁场的影响。结果表明：节瘤缺馅对薄膜中电场强度有显著的加强作 用，其内部峰值场强是人射光的6倍，大而拽节瘤缺陷对倾斜八射P偏振态的激光具有最高的加强效应 关键词：多层介质薄膜，中红外，节瘤缺陷，高斯光 PACC：6860，4255R．0260 强分布情况的影响，从而研究节瘤对不同入射激光 1．引 言 的敏感程度，找出最具破坏性节瘤的特征． 为满足高功率氟化氘激光系统(输出激光的波 2．理论模型 长为3．8p／31)的需要，中红外激光薄膜不仅要求具有 良好的光学性能，而且还必须具备较高的抗激光损 时域有限差分方法”“自Yee提出以来得到广 伤闽值，目前薄膜的抗激光损伤性能是限制高功率 泛应用，是近年来分析介质中电磁场传播最有效的 激光器发展的瓶颈…．此前，人们针对近红外波长 数值差分方法．本文在模拟中采用的膜系是沉积在 的介质薄膜开展了大量的研究工作以探求薄膜损伤 的机理02-“．研究表明，薄膜中的微米量级的缺陷 是降低薄膜抗激光损伤闯值的主要因素”1，其中节 1．50．薄膜中的节瘤缺陷如图1所示，节瘤的起始 瘤缺陷是典型的缺陷之一”’7“．缺陷对激光损伤的 点(种子)为球形颗粒，一般为基板上的缺陷、尘点或 影响是一个复杂的过程，现有的实验和模拟的结果 者在镀膜沉积过程中材料喷溅形成的喷点．缺陷在 表明，节瘤的深度、形状、起始点的大小及成分都将 镀膜过程中不断生长，最终形成具有抛物线边界的 对损伤产生重要的影响．其中，较浅的节瘤容易在 柱对称结构，SEM和AFM的实验观察结果都印证了 激光照射下从薄膜表面喷溅出来，形成弹坑形状的 节瘤缺陷的这种抛物线结构““． 缺陷，这种缺陷在激光进一步照射时不易导致薄膜 文中的人射光为具有高斯分布的激光束，此前 损伤．相反，大而深(顶高大于0．6“m)的节瘤缺陷 的研究都将入射光简化为单色平面波的形式，不考 对激光具有较高的响应度，容易成为损伤的起始点， 虑激光束本身的空间分布情况．本文将入射光理解 对薄膜造成致命的破坏”9。．此前的研究工作主要 为多个角谱叠加形成的锥形商斯光的形式，光束中 集中在1．053 pm和1．064pm波段，对中红外波段