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新型ICP高频功率源的设计
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北京瑞利分析仪器有限公司北京市朝阳区酒仙桥东路9号A5楼,10001
摘要ICP原子发射光谱仪可广泛应用于环境监测、地质、冶金、化工、农业、食品、医学等行业。
高频功率源是该仪器最重要的组成部分,目前市场上销售的仪器绝大部分使用自激式高频功率源,
核心是电子管,缺点是效率低、需要水冷。本论文主要讲述了它激式高频功率源(其核心是高频大
功率射频晶体管)的设计及其在ICP原子发射光谱仪上的应用.其优点是效率高、功串稳定,模块
化。该项目的成功完成弥补了国内在射频晶体管功率源应用于电感耦合等离子体发射光谱仪的空白。
关键词阻抗匹配,推挽输出,驻波比,等离子体
一、新型高频功率源的原理
田1新型高额功翠源原理框图
(此电源只作为样机使用阶段):带有外控开关机及电流采样的开关电源;负载为高频感应线圈和炬
管、雾化器、雾室组成的等离子体产生部件;步进电机最大静转矩为30N.cm,可以轻松带动真空电
容和空气电容。下面主要介绍新型功率源的核心部分:高频功放、匹配箱、耦合取样及保护。
二、新型高频功率源放大及保护部分设计
2.1末级功率放大
末级功放是最核心的一部分,考虑到要求功放的最终输出要高于1000W,我们选择的射频功率
率可达80M,漏源极电源最大值为125V。
光谣哦蓦蝴·嘶
集成电路用于产生6v.对射频功率管提供静态电压。温度继电器起到保护作用,如果散热嚣的
温度超过70C,则温度继电器就断开24V,切断功率管的静态电压。各个变压器的设计和制作非常
关键,因为阻抗变换变压器可以完成信号源与功率放大管输入端或输出端之间的阻抗匹配,可以最
大限度地利用管子本身的潜能。由于我们设计了推挽式输出,因此初级线圈的输入与次级线圈的输
出要尽可能保持对称。
电路中使用的射频晶体管属于MOS管,价格昂贵,由于其抗静电性能非常差,稍不留神就会因
为焊接设备上的静电把管子烧坏,因此管子安装时要特别小心。在调试时,尽可能先调试每个管子
的静态工作电压,千万不要动态改变静态工作点。调试完成后首先要在50欧同轴大功率衰减器上试
验,此时由于驻波比小(要求驻波比不大于1.1),不会出异常后才能接匹配箱。
2.2前级功率放大
前级功率放大最大输出lOOW。实际点火时前级功放只用到30W,维持等离子体只需要20W左
右。晶振输出的正弦波首先经过串联的电容电阻整形,再通过Ⅱ型电阻网络衰减,送到第一级放大,
功率管输出标准的正弦波其峰峰值可达30V,该正弦波通过一分二变压器输出两个反相的正弦波,
经阻抗变换变压器送到功率管进行推挽输出。再经过变压嚣阻抗变换.最后由变压器合成,最终输
出峰峰值200V的正弦波。两个变压器和一个二极管组成耦合取样.取样信号通过比较器和D触发器
来实现前级功放的驻波比失调保护。同时该电路还设计了两个功率管的过热保护功能.通过切除功
率管的静态电压来完成保护。
2.3定向耦合器设计
定向耦合器主要用于射频功率取样,其作用是为了检测射频馈线上的正向功率和反向功率,通
过检波提供相应的直流电平,送到控制保护单元起到正反向功率过大保护、自动增益控制“1和驻波
比保护等功能。其主要由电流互感器(由磁心和漆包线绕制而成)、检波二极管和分压电阻构成。
2.4控制保护单元设计
控制保护部分主要完成高频功率源的各项保护;温度保护、驻波比Ⅲ(在通讯领域输入阻抗与
特性阻抗不一致时。产生的反射波和入射波在馈线上叠加形成驻波,其相邻电压最大值和最小值之
比就是驻波比。驻波比过大,将缩短通信距离,而且反射功率将返回功放部分,容易烧坏功放管,
影响系统正常工作)保护、正向功率保护、反向功率保护、点火失败保护。同时完成功率的自动增
益控制.控制大功率直流电源的开关机和电流检测(过流保护)。
三、匹配箱设计
3.1匹配箱电路原理图
SPE(TRoNICINSTR(rMENTSAND^NAlYsls
C3
圈2匹配箱原理
如上图2原理,cl为高
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