超短沟道高k栅MOSFET寄生电容.pdfVIP

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2015-09-11 发布于湖北
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第43卷第10期中国绅孽箍求大誊辱旅 V01．43，No．10 ANDTECHNoLoGYOFCHINA 201 JoURNALOFUNlVERSITYOFSCIENCE Oct．2O13 3年10月文章编号：0253—2778(2013)10—0822—08 吉厶超短沟道同尼栅MOSFET寄生电容王敏，王保童，柯导明 (安徽大学电子信息工程学院，安徽合肥230601) 摘要：寄生电容不随器件尺寸的减小而成比例减小，因此对小尺寸器件寄生电容的研究就更有意义．本文首次用矩形等效源建立了MOSFET电势分布二维半解析模型，综合半解析法和特征函数展开法求出二维电势分布函数，并由此得出寄生电容的解析表达式．研究结果表明，减小源／漏区尺寸和栅极厚度可以减小寄生电容，沟道长度的变化对寄生电容几乎没有影响，栅介电常数的增加会使边缘电容减小．模型求解时精度高、运算量小，可直接用于电路模拟程序和器件设计．关键词：超短沟道；寄生电容；高k材料；半解析模型中图分类号：TN386．1 文献标识码：A ofMOSFETwith k andshort 引用格式：WangMin，WangBaotong，KeDaoming．Parasiticcapacitance highgate of ofScience of and China，2013，43(10)：822—829． channel[-J]．JournalUniversity Technology 王敏，王保童，柯导明．超短沟道高k栅MOSFET寄生电容EJ]．中国科学技术大学学报，2013， 43(10)：822—829． Parasitic of with MOSFET k andshortchannel capacitance highgate WANG Min，WANG Baotong，KEDaoming (InstituteElectronicand Information 230601，China) of Engineering，AnhuiUniversity，Hefei Abstract：Parasiticdoesnotdecreasein tothedecreaseinthesizeofthe capacitance proportion device，and isthus of tosmallsizedevices．A2一D modelof distribution greaterimportance semi—analyticalpotential by sourcemirrormethodwas forthefirsttime．The method rectangular an