HAc-KOH-KClO3抛光液中铜的钝化与磨损研究.pdf

何捍卫1。胡岳华2，周科朝1。熊翔1 (1．中南大学粉末冶金国家重点实验室，湖南长沙410083 2．中南大学资源加工与生物工程学院，湖南长沙410083) [摘要]用电化学测试技术研究了铜在HAc-KoH—KclO，化学机械抛光液中的腐蚀与钝化．分析了钝化膜的 成分，研究了成膜的伏安曲线特征，考察了化学机械抛光过程中铜腐蚀电位随时问变化的轨迹、钝化膜的磨损与再钝 的存在改善了铜的抛光特性。钝化膜的成膜过程符合Mnller钝化成膜模型。氯酸钾的存在不仅加快了化学机械抛 光过程中的钝化成膜速率和磨损除膜速率，而且降低了抛光磨损的压力和转速，太幅提高了抛光中的腐蚀电流密度， 加快了铜的腐蚀。 [关键词]化学机械抛光；钝化；磨损 TGl75 A 100l 03 【中国分类号] [文献标识码] [文章编号] 1560(2004)03—0009 0前言 pH值)。所用试剂均为分析纯，水为高纯水。 越呵樨移 1．2主要仪器分析 铜因其低电阻和高电迁移性而成为最有前景的取代铝 EG＆GM0del273A 成为集成电路内联线的材料”，但铜用一般的抛光方法难 co肿sion 位及极化曲线，Model352 Analysissonware处理数 以形成图形，只有用化学机械抛光(简称cMP)技术才能解 XsAM800 据。KRATOs xPs分析钝化膜成分。Ring一肼sk 决这一阃题…。此技术是目前最好，也是唯一能全局平面 Electmde636作抛光实验机。 化的技术。国外从20世纪80年代开始进行研究和开 1．3试验方法 发…，其抛光液的配方一直作为商业秘密。根据Kaufman 等41金属cMP模型，表面形成钝化膜是铜cMP的前提，因抛光液配方为HNN(pH=7．5一11O)+KclO，(0．1～ 此研究铜在介质中的腐蚀与钝化特性是研究其cMP配方 O．3 r／min，压力≤加kPa。试验在圆盘电极上进行。抛光片铜 的基础。Fayolle等”。研究出了以n(No，)，为氧化剂，氧 225 ¨oo#书∽血游u．7眯避u洁 (≥9999％)为工作电极，面积l cm2，试验前用砂纸逐 化铝为磨粒，H：O：作改进剂的铜cMP抛光液。Hanhara- 级打磨并用酒精、水清洗。抛光垫为耐酸碱纤维布，固定于 puthlran等”1研究了铜在加有双氧水的氨基酸抛光液中的 抛光行为，双氧水的存在能改善铜的抛光效果。Luo等” 玻璃电解池内。电解池装在可控制上下升降的压力传感器 研究了在硝酸介质中以硝酸铁为氧化剂、苯并三唑为成膜 上，以便定量施加抛光压力。铂为辅助电极，A∥AgCl为参 0 剂的铜cMP抛光液。何捍卫等78研究出了表面形成 比电极。试验中磨粒用量5％，动电位扫描速率为1 mv／s。 cu。[Fe(cN)。]钝化膜时的cMP抛光液，并建立了特定条