MgB2超导材料的薄膜制备及其超导器件的实现.pdf

北京大学学报(自然科学版)，第43卷，第5期，2007年9月 Actasc】entiammNBtudiumUnive玛i眦讧Peki眦n819tV01．43，No5(sept．2007) MgB：超导材料的薄膜制备及其超导器件的实现” 吴 克” 余增强 张解东 聂瑞娟 王福仁 (北京大学物理学院，北京，100871；”通讯作者．E．眦d：删ke@pku．edu．en) 摘 要报道了采用电子束蒸发技术实现Mg岛薄膜制备的实验工作。通过蒸镀B膜和Mg，B多层膜两种前驱体， 分别经高温区(一900℃)和中温区(一7000c)退火处理后成功获得了高质量的MgB：薄膜样品。对样品的超导性能、 晶体结构和表面形貌进行了详细的测量和表征，并对两类样品性质上所表现出的差异进行了分析。此外，还报道 了在薄膜制备基础上利用微加工技术实现的超导微波谐振器的结果。 关键词MgB2；超导薄膜；电子束蒸发；退火处理；微波谐振器 中图分类号O511 F姐mF铀“cationandElectmnicDevicesof MgB2Superc叩ductor WUKEn W WANcFuren zeRgq汛gzHANG洳_lo嘴～lE姒mR (5幽口f tll岫fih衄via A埘r哪!kwork0n胁^cationof E·Beam MgB2蛐per∞nducling evapor且t洒“app啪曲h工eP0ned．W汕t1．e Bomn at900℃衄d mnB nlm柚d M∥Bmultjl8ye‘p眦ur钟腊followedbyp咂t-anneal{”g 750℃陀印ecⅡvely，hj曲qIl8l时MgB2 have been 0f been田e曲u坨d蚰d山e succeB缸uuyachieved．superconducti“gpropenie8tlle蛆。ple日Jl丑ve cryst柚8叽ctu弛aI-d Bud扯e hwed舯kencll且rac把^zed．The嘟ub 0f of shd涮恤Ped哪Tlce to咿Phy the鸵tw0‘ype8sampkw舶si印访c卸dy to thi8 mierdwave总80rm协rh蛆b∞n陀di。edb日gcdon 击n；rent．So巾e帅胡y9帕h日vebee“pmpo驼delphincoTI乜埘．BesldeB，a tlle mⅢ8 hy 8L1pe删nducti“gMgB2 prepamdtIIi搴cechnique 6lm；E-B龆m re鲫nator ev4po阻tion；B仙edi“gpr眦憎8；mi唧帅ve Key帅rdsMgB2；茸upercondueti“g 其中，MgB2在超导电子学器件中的应用前景一 0引 言 直被普遍看好”。。这主要是因为：相对于传统超导 K 2001年日本科学家意外发现了具有高达39体，MgB：的转变温度有了明显的提高，这使得其可 转变温度(t)的超导材料二硼化镁(MgB2)“。。随后