TiNTiSiO2Si基板的分电极酸性化学镀铜.pdf

第35卷 第2期 稀有金属材料与工程 V01．35，No．2 2006纽 2月 RAREMETALMATERL～LSANDENGINEERING 2006 February 温锦生，刘 超，钟 声，杨志刚 (清华大学，北京100084) 基板分别作为化学镀的阳极和阴极，在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距O．5mm，[HF]和[CuSO。] 大于8％(质量分数)和0．045 Cu膜中不含Cu20，降低了电阻率。 关键词：分电极酸性化学镀；Cu基板；TiN／Ti／si02／Si基板；集成电路 中图法分类号：TG．153．1 文献标识码：A 文章编号：1002—185X(2006)02．0324—05 值为12．5，对基板造成严重腐蚀；镀铜溶液的稳定性 1 刖 昂 在超大规模集成电路中，电子组件向小型化与多 功能化发展。近年来，组件设计的复杂程度与集成度 均大为增加，并带动互连技术快速发展。铝作为传统 极酸性化学镀方法，反应过程如下所示。 的集成电路布线材料，电阻率大，耐电迁移能力差， 阳极反应：Si+6F一一SiF6卜+4e (2) 已经不能满足高速度组件的要求…。由于铜具有电阻 阴极反应：2Cu2++4e一2Cu (3) 率低、耐电迁移能力高与成本低的优势[2】，已成为取代 (4) 铝的新一代布线材料。但是铜原子容易扩散进入集成 反应中，基板Si表面被氧化释放出电子，电子由F一 电路的Si和Si02，改变集成电路的电性能，导致组件 的可靠度降低【3】。因此，需要阻障材料阻挡铜扩散进 表面。但该方法只用一块基板，利用裸露的Si表面作 入硅层。目前最主要的阻障层材料为Ti，Ta，w等难为阳极，因此Cu会在裸露的Si表面沉积，扩散入基 熔金属及其氮化物【4如】。 板中，致使集成电路失效[10,11]。 在集成电路制造工艺中，铜的金属化工艺主要有 本研究对单电极法进行了改进，采用分离双电极 溅镀法、化学气相沉积与电化学沉积3种方法【71。溅 镀法的缺点是对高深宽比沟槽的覆盖能力太差；化学 气相沉积法所用设备复杂，反应物具有强烈毒性且价 用一单独si基板作为阳极。为证明该方法中电子可以 格昂贵；电化学沉积铜分为电镀与无电镀，但是电镀 从阳极传输到阴极，先采用一Cu基板作为反应的阴 铜成本高，产能低。而无电镀铜，其覆盖能力、微细 极。由于Cu是其离子化学镀的白催化表面，可以避 沟槽填充能力、工艺稳定性、设备简便程度及成本条 件皆优于其它技术，因此具有良好的工业前景。传统 离等各种参数，实现最佳的化学镀铜。 的化学镀铜其pH值为12．5，主要成分为CuS04， HCHO，EDTA和TMAH。其中CuS04是Cu2+源， 2 实验方法 HCHO是还原剂，EDTA是配合剂，TMAH是酸碱调 节剂，反应式如下： 2．1 Cu基板的腐蚀 Cu基板在试验中会受到HF酸的腐蚀，反应如下： (CuEDTA)2+2HCH0+40H--Cu+2HCOO+ 2H20+H2+EDTA4 (1) Cu+2HF—，H2+CuF2 (5) 但是甲醛是一种致癌物质，对环境污染