TiNTiSiO2Si基板的分电极酸性化学镀铜.pdf

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第35卷 第2期 稀有金属材料与工程 V01.35,No.2 2006纽 2月 RAREMETALMATERL~LSANDENGINEERING 2006 February 温锦生,刘 超,钟 声,杨志刚 (清华大学,北京100084) 基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀。最佳化学镀反应条件为电极相距O.5mm,[HF]和[CuSO。] 大于8%(质量分数)和0.045 Cu膜中不含Cu20,降低了电阻率。 关键词:分电极酸性化学镀;Cu基板;TiN/Ti/si02/Si基板;集成电路 中图法分类号:TG.153.1 文献标识码:A 文章编号:1002—185X(2006)02.0324—05 值为12.5,对基板造成严重腐蚀;镀铜溶液的稳定性 1 刖 昂 在超大规模集成电路中,电子组件向小型化与多 功能化发展。近年来,组件设计的复杂程度与集成度 均大为增加,并带动互连技术快速发展。铝作为传统 极酸性化学镀方法,反应过程如下所示。 的集成电路布线材料,电阻率大,耐电迁移能力差, 阳极反应:Si+6F一一SiF6卜+4e (2) 已经不能满足高速度组件的要求…。由于铜具有电阻 阴极反应:2Cu2++4e一2Cu (3) 率低、耐电迁移能力高与成本低的优势[2】,已成为取代 (4) 铝的新一代布线材料。但是铜原子容易扩散进入集成 反应中,基板Si表面被氧化释放出电子,电子由F一 电路的Si和Si02,改变集成电路的电性能,导致组件 的可靠度降低【3】。因此,需要阻障材料阻挡铜扩散进 表面。但该方法只用一块基板,利用裸露的Si表面作 入硅层。目前最主要的阻障层材料为Ti,Ta,w等难为阳极,因此Cu会在裸露的Si表面沉积,扩散入基 熔金属及其氮化物【4如】。 板中,致使集成电路失效[10,11]。 在集成电路制造工艺中,铜的金属化工艺主要有 本研究对单电极法进行了改进,采用分离双电极 溅镀法、化学气相沉积与电化学沉积3种方法【71。溅 镀法的缺点是对高深宽比沟槽的覆盖能力太差;化学 气相沉积法所用设备复杂,反应物具有强烈毒性且价 用一单独si基板作为阳极。为证明该方法中电子可以 格昂贵;电化学沉积铜分为电镀与无电镀,但是电镀 从阳极传输到阴极,先采用一Cu基板作为反应的阴 铜成本高,产能低。而无电镀铜,其覆盖能力、微细 极。由于Cu是其离子化学镀的白催化表面,可以避 沟槽填充能力、工艺稳定性、设备简便程度及成本条 件皆优于其它技术,因此具有良好的工业前景。传统 离等各种参数,实现最佳的化学镀铜。 的化学镀铜其pH值为12.5,主要成分为CuS04, HCHO,EDTA和TMAH。其中CuS04是Cu2+源, 2 实验方法 HCHO是还原剂,EDTA是配合剂,TMAH是酸碱调 节剂,反应式如下: 2.1 Cu基板的腐蚀 Cu基板在试验中会受到HF酸的腐蚀,反应如下: (CuEDTA)2+2HCH0+40H--Cu+2HCOO+ 2H20+H2+EDTA4 (1) Cu+2HF—,H2+CuF2 (5) 但是甲醛是一种致癌物质,对环境污染

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