Zn掺杂对MgB2电子结构及超导转变温度的影响.pdf

第37卷第5期 中南大学学报(自然科学版) V01．37N0．5 2006年10月 J．CENT．SOUTH AND oct． 2006 UNIV．(SCIENCETECHNOLOGY) 爿k0日 又皿度的影响 Zn掺杂对MgB2电子结构及超导转 李燕峰L2，徐 慧1，宋招权2，夏庆林1，程仕平2 (1．中南大学物理科学与技术学院，湖南长沙，410083； 2．中南大学材料科学与工程学院，湖南长沙，410083) 摘要：建立Zn掺杂含量不同的6个MgB2模型M91一。Zm 密度，对得到的结果进行分析和处理，并指出Zn掺杂时MgB2超导临界转变温度Tc变化的大致规律。根据强耦 合BCS理论的Mc—Millan公式，推导第一性原理计算公式，计算Zn掺杂MgB2的超导临界转变温度L。 关键词：Zn掺杂；第一性原理；电子结构；超导温度 中图分类号：TGl32．2；TGl46．2文献标识码：A 文章编号：1672—7207(2006)05—0925—07 TheeffectofZn ontheelectronicstructureand doping of superconductivitytemperatureMgB2 LIYan—fen91’2，XUHuil，SONG Zhao—quan2，XIAQing—linl，CHENGShi—pin92 of (1．School Scienceand South 410083，China； Physical Technology，CentralUniversity，Changsha 2．SchoolofMaterialsScienceand South Engineering，Central 410083，China) University，Changsha modelsof withdifferentZn Abstract：Six MgB2 build were theireffects 1／16，1／12，1／8，1／6)wereup，the modules’parametersoptimized，and onthe structurewere beforeandafter bandstructureand of geometry compared doping．The density andZn states(DOS)of werecalculated，thelawof criticaltransition pure dopingMgBz superconductive withZn was first formulawasdeduced temperatur