AVR第六章EEPROM读写访问11.pptVIP

§6.1 概述 EPROM可紫外线擦除只读存储器。 EEPROM （E2PROM ） 可电擦除，电改写只读存储器； 可在线电擦除、改写（内有升压电路，12V 左右）； 常用于：存放智能仪器仪表等的重要参数，能够修改参数值，停电不丢失信息。 8535单片机内部有512个字节 的E2 。在执行读或写时，CPU会暂停2个时钟周期，然后执行下一条指令。写入时间需2.5～4ms，取决于Vcc电压。 §6.2 有关的I／O寄存器 E2PROM地址寄存器--- EEAR E2PROM数据寄存器--- EEDR E2PROM控制寄存器--- EECR ----EEAR对应两个I／O寄存器 E2PROM地址寄存器--- EEAR 8535单片机有512个字节 的E2，须9位地址 E2PROM数据寄存器--- EEDR 要写的数据放到此寄存器； 要读的数据从此寄存器中取出来 。 读写不能同时进行！！ E2PROM控制寄存器--- EECR ①　EERE___ E2读 使能位 EEAR←9位E2地址 EERE←1 两个时钟周期之后，指定地址单元的数据→EEDR中，查询到EEWE为零之后，可以从EEDR中读数。 例如： IN R16 , EEDR； E2写---EEWE与 EEMWE控制位 ②　EEWE___ E2写使能位 EEDR←要写的数据 EEAR←要写入单元的9位E2地址 EEWE←1就可以写入（控制），前提条件是：EEMWE为1。 ③　EEMWE--- E2主写使能位 当该位被置1之后，过4个时钟周期自动清0， 只有该位为1时，EEWE置1才能启动写入过程。 小结：EEMWE为1后，4个时钟周期内，必须EEWE为1，才能写入。 所以：可以很好的防止误写操作（抗干扰能力强）。 ④　EERIE--- E2准备好中断使能位 写完E2需2.5~4ms. EEWE由硬件自动清0，E2写完产生一个中断。 其中断服务程序入口地址固定为$000f §6.3 写和读E2的步骤 写E2的完整步骤 [1]?等待EEWE为0，即等待上次写完； [2]?EEAR←9位新地址； [3] EEDR←要写数； [4]?EEMWE←1；写入 1之后4个时钟便会自动清0； [5] EEWE←1；4个时钟（其中CPU停止2个时钟）开始新字节写入，需2.5~4ms，写完之后，EEWE由硬件自动清0。 读E2的步骤 [1]?等待EEWE为0，即当前没有正在进行的写操作； [2]?EEAR←要读字节的9位地址； [3] EERE___ E2读使能位 置1，（其中CPU停止2个时钟） [4]? 之后，可从EEDR中读取结果； §6.4 E2单字节读写及其测试举例 §6.4.1 E2单字节写子程序“EEWrite” §6.4.2 E2单字节读子程序“EERead” §6.4.3 E2单字节读写测试程序“TestSingle” §6.4.1 E2单字节写子程序“EEWrite” 入口：R18：R17放要写入的E2的地址，R16放要写入的数据。 EEWrite： sbic EECR，EEWE ；EEWE为0跳行， rjmp EEWrite ；等待EEWE为0，即等待E2写完 out EEARH，r18 ；写入E2地址 out EEARL，r17 ； out EEDR，r16 ；要写入的数据→EEDR sbi EECR, EEMWE；1→EEMWE主写选通使能 sbi EECR, EEWE；1→EEWE写选通使能，4个时钟 ret ；返回 §6.4.2 E2单字节读子程序“EERead” 入口：R18：R17放写入的E2的地址，R16放所读到的数据。 EERead： sbic EECR，EEWE ；EEWE为0跳行， rjmp EERead ；等待EEWE为0，即等待E2写完 out EEARH，r18 ；写入E2地址 out EEARL，r17 ； sbi EECR, EERE ；1→EERE读使能，4个时钟 in r16，EEDR ；　读入数据 ret ；返回 §6.4.3 E2单字节读写测试程序“TestSingle” TestSingle: ldi r16，$02 ；设置堆栈指针 out sph ，r16 ；SP←$025f ldi r16，$5f ； out spL，r16 ； ldi r16，$ff ；通过写1，定义B口为输出 out DDRB，r16 ； ldi r16，$aa ；写子程“EEWrite”入口的设置 ldi r17，$40 ；R16放要写入的数据。 ldi r18，$00 ；R18：R17放写入