第一章_常用半导体器件及其特征.pptVIP

2. 杂质半导体（N型半导体） 2. 杂质半导体（P型半导体） 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 2.2 PN 结加反向电压（反向偏置） 2.2 PN 结加反向电压（反向偏置） 半导体二极管 1. 基本结构 2. 伏安特性 3. 主要参数 二极管电路分析举例 1.1.4 稳压二极管 作业　 1某三极管在实验中测得两个PN结的电压分别为 可判定它是一只　　　　型的三极管，工作在　　　　　区。 2、某三极管 可判定它工作在　　　　区 Home Next Back 21 图1.4.12 解：由图中得N沟道JFET的vGS=0，此时， iD=IDSS=4mA。 而uDS|VGS(off)|=4V ，所以 vOmax=VDD -4V=12 –4=8V ，故 RL= vO / IDSS =(0~8V)/4mA=(0~2)k 。 例1.4.3 电路如图1.4.12 所示，场效应管的夹断电压VGS(off)=-4V，饱和漏极电流IDSS=4mA。为使场效应管工作于恒流区，求RL的取值范围。 B E C N N P ICBO ICEO= ? ICB0+ICBO IBE ? ICBO ICBO进入N区，。 根据放大关系，由于ICB0的存在，必有电流?ICBO。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向饱和电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 三、极限参数 1. ICM — 集电极最大允许电流。 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC ? uCE。 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO (P34 2.1.7)已知: ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V， 当 UCE = 10 V 时，IC mA 当 UCE = 1 V，则 IC mA 当 IC = 2 mA，则 UCE V 10 20 20 1.6　场效应管 引　言 1.6.1 结型场效应管 1.6.3 场效应管的主要参数 1.6.2 MOS 场效应管 课题： 　　　 第三节 场效应管（2学时） 目的要求： 　　　　　1、掌握场效应管工作原理 2、了解场效应管的工作特性和主要参数 　　　　　 重点、难点和突破方法： 　　 场效应管的特性和主要参数 复习提问：复习三极管的基本知识 　　　 作业： 　　　　　见课件　。 总第 次课 电子082 电子081 使用班级 引 言 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型： 绝缘栅型 N沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 (IGFET) （2）分类 P沟道 MOSFET Home Next 1 （1）特点 输入阻抗高（107~1012?），噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗小。 特点： 1.利用输入回路的电场效应控制输出回路的电流；仅靠半导体中的多数载流子导电（单极型晶体管）； 3. 工艺简单、易集成、功耗小、 体积小、成本低 2. 输入电阻高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 1.6.1 结型场效应管 1. 结构与符号 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 源极S 栅极G 漏极D N型导电沟道 2. 工作原理 预夹断