铁心式并联电抗器局部过热振动问题.docVIP

铁心式并联电抗器局部过热振动问题 铁心并联电抗器的中心问题是漏磁问题和铁心特殊问题。由此带来的易发生局部过热问题和振动可能较大问题，迄今为止仍号称铁心电抗器的两个世界性难题。要解决这两个问题，所涉及的基础学科和研究领域很深很广，难度很大，造成并联电抗器产品技术会含量高。但为了为用户提供安全可靠的产品，这些基础研究和关于磁化特性的前沿研究必须深入进行。 铁心电抗器发生局部过热的根源 大量值的漏磁通在铁心夹件和紧固件、油箱钢板中流通，产生大量值的涡流损耗，造成局部过热。 造成铁心电抗器漏磁通大的根本原因 铁心电抗器特殊结构决定了其本质是漏磁通特别大。 一个简单的空心线圈就是一台简单的电抗器。其电感为： L=0.32W2 Rp 2 ×10-3 /(6 Rp +9 hr +10 Bk) 其中：L－电感，mh；W－绕组匝数；Rp－平均半径，cm；hr－电抗高度，cm；Bk－绕组平均厚度，cm； 当然所遵从的规律是电感定义和法拉第电磁感应定律。由电感定义ψ＝LI得 其中Rμ成为磁阻，表达式与电阻公式R＝ρl/S相似。 由上式可以看出电感除了与绕组匝数有关外，还与磁路特性有关。由此人们想到在空心线圈插入铁磁物质――铁心，由于其导磁率大，使磁阻变小，则该线圈可提供更大的电感，这是铁心电抗器的由来。 另一方面，由于硅钢片的导磁率μ随磁密的变化而变化，在交流电激磁的情况下，插入的铁心必须带有气隙，才能使铁心电抗器具有稳定的电感、电抗和容量。下面是两台理想电抗器器身结构示意图，图9所示电抗器是将图8所示电抗器的铁心柱分段带有气隙得到的，其它不变。假设这两台理想电抗器的电磁参数各处均匀，则这两台电抗器有相同的参数如下：主磁路回路总长l、硅钢片导磁率μ、绕组匝数W、激磁电流I、铁心柱及铁心饼的有效面积S。 有不同的参数如下：图8中：铁心中磁通密度B1，磁场强度H1，主磁通φ1，漏磁通φ2，主磁通激磁电流I1，漏磁通激磁电流I2；图9中：铁心饼及铁轭中磁通密度B2、磁场强度H2、主磁回路中硅钢片部分总长，气隙部分：总长δ、有效面积S＋ΔS、导磁率μ0、磁通密度B3、磁场强度H3。图9中主磁通φ3，漏磁通φ4，主磁通激磁电流I3，漏磁通激磁电流I4,下面来讨论这种结构变化造成了什么结果： 图8、图9总激磁磁势不变，都等于IW，总激磁磁势＝主磁通激磁磁势＋漏磁通激磁磁势。而图9与图8漏磁通回路是一样的，如果忽略主磁通回路的变化对漏磁回路的微弱影响，则φ1≈φ2。于是两图的主磁通激磁磁势相等。即： 图8中 F总＝IW＝I1W+I2W 图9中 F总＝IW＝I3W＋I4W 对图8主磁通回路应用全电流定律 I1W＝H1dl＝H1l―――① 对图9主磁通回路应用全电流定律，并注意图9中铁心饼与气隙流过同一主磁通，得出 I3W＝Hdl＝H2（l－δ）＋H3＝B2（l－δ）/μ＋B3δ/μ0――② 由于气隙与铁心饼流通的是同一磁通―――主磁通φ3，所以： B2＝φ3/(S) B3=φ3/(S+ΔS) 在工程中ΔS约为S的十分之一，所以S＋ΔS≈S，B3≈B2 式②可写成I3W＝B2（l－δ）/μ＋B2δ/μ0 由于硅钢片的导磁率是空气的两万倍，μ＝20000μ0， （l－δ）＝（10～40）δ 所以上式中第一项远远小于第二项，可写成I3W＝φ3δ/（Sμ0） 即式②可写成 I3W＝H3δ―――③ 式③的物理意义在于：带气隙的铁心电抗器的主磁通激磁磁势几乎全部消耗在气隙上。而气隙的导磁率为恒定值μ0＝4π×10-7，这使得电感为恒定值；而漏磁回路中相当于空气的部分占得更多，所以漏电感更稳定。主电感、漏电感都稳定使总电感稳定。因此气隙使电抗器获得稳定得电感、电抗、容量。气隙是铁心电抗器必须的。即使象饱和电抗器和自饱和电抗器这样没有气隙的铁心电抗器，由于其铁心的工作磁通密度在饱和区，相当于有一定长度的气隙段。 下面来讨论铁心电抗器带气隙后，电感、电抗、容量有何变化。 图8主电感L1主＝W2μS/l， 图9主电感L2主＝W2/[(l－δ)/（μS）＋δ/（μ0S）] 图9主磁通回路的磁阻是铁心磁钢片段和气隙段的磁阻的串联： Rμ2＝（l－δ）/（μS）＋δ/（μ0S）≈δ/（μ0S）所以 L1主/L2主＝Rμ2/ Rμ1＝μ/μ0≈20000倍，因此带气隙后，主电感降低为无隙的1/20000，导致总电感急剧降低。 电抗X＝ωL＝2πfL也急剧降低，容量S＝I2X也急剧降低。为了使带气隙的电抗器的容量维持原值，必须增大总激磁磁势IW，在I不变的情况下增大W。一般情况下，如果维持铁心直径不变，绕组匝数需提高至原值的2.5到3倍。于是漏磁通不变的状况也被打破：因为在总激磁磁势增加时，漏磁激磁磁势也在增加，漏磁阻不变，所以漏磁通也变为原来的2.5至3倍。 另一方面同容