6第六章 半导体界面及接触现象-pn结.pptVIP

一、p-n结的形成和杂质分布 当电流由P区欧姆接触进入时，几乎全部为空穴的漂移电流；空穴在外电场作用下向电源负极漂移； 由于少子浓度远小于多子浓度可以认为这个电流完全由多子空穴携带。 空穴沿x方向进入电子扩散区以后，一部分与N区注入进来的电子不断地复合，其携带的电流转化为电子扩散电流； 另一部分未被复合的空穴继续沿x方向漂移，到达-xp的空穴电流，通过势垒区； 若忽略势垒区中的载流子产生-复合，则可看成它全部到达了xn处，然后以扩散运动继续向前，在N区中的空穴扩散区内形成空穴扩散流； 在扩散过程中，空穴还与N区漂移过来的电子不断地复合，使空穴扩散电流不断地转化为电子漂移电流； 直到空穴扩散区以外，空穴扩散电流全部转化为电子漂移电流。忽略了少子漂移电流后，电子电流便构成了流出N区欧姆接触的正向电流。 x 处的空穴浓度 设V(xn)=VD, 则 V(xp)=0, 则 结区边界处 势垒区又叫耗尽层 其中载流子浓度很小 平衡pn结中 载流子分布 np0 nn0 pp0 pn0 n n? p p? n(x) 三、非平衡p-n结 1．正偏p-n结的能带(P+,N-) P N Ε内 + － qVD q(VD－V) 正向偏压时pn结 势垒的变化 ?外加正偏压基 本落在势垒区 ?势垒区宽度? 正向偏压 与内建电场相反 势垒区电场 宽度 高度 扩散大于漂移 P 电子扩散区 结区 空穴扩散区 N xp’ xp xn xn’ 非子的电注入 pn结正偏时，外场消弱势垒区内建电场， 势垒区扩散占优势，使p区和n区有少子 注入，形成正向扩散电流。 2．正偏时载流子的运动和电流成分 Jn Jp x J xn’ xn xp xp’ 通过pn结的总 J： J = Jp扩（n 区边界）+ Jn扩（ p 区边界） 3．正偏下的电流密度 其中： pn结的正向电 流电压关系式 对于p＋n结： 对于pn＋结： 例如，室温：KT=0.026eV 当V=0.26V ： V J Js pn结的 J－V 曲线 4．反偏时的p-n结(P－,N＋) qVD q(VD － V) 反向偏压时pn结势垒的变化 P N Ε内 － ＋ V0 势垒区? 漂移扩散 ?势垒区变宽 ?漂移流大于扩散流 ?由漂移作用形成的反向电流很小 （p区电子和n区空穴少） 通过pn结的总反向 J： J=Jp扩（n区边界少子）+ Jn扩（ p区边界少子） |V|? J?-Js Js为反向饱和电流 V0 反向偏压电流饱和 “－”表示 J 与正向时相反 反向电流密度饱和，与外加电压无关 V J Js pn结的 J－V 曲线 pn结具有单向导电或整流效应 5. 温度对pn结电流密度的影响 对反向电流： T ?, Js 迅速增大 且 Eg 越大的半导体， Js 变化越块 对正向电流： 为常数 Vg0 为 0k 时导带底和价带顶的电势差 T ?, 正向 J ? 6. 理想pn结模型 小注入条件 －注入的少子浓度比平衡多子浓度小得多 突变耗尽层条件 －注入的少子在p区和n区是纯扩散运动 ?通过耗尽层的电子和空穴电流为常量 －不考虑耗尽层中载流子的产生和复合作用 ?玻耳兹曼边界条件 －在耗尽层两端，载流子分布满足玻氏分布 7. pn结电流电压特性偏离理想方程的因素 表面效应 势垒区中的产生及复合 大注入条件 串联电阻效应 势垒区的产生电流 热平衡时 载流子的产生率＝复合率 反向偏压，通过复合中心产生的电子空穴 对来补及复合就被强电场驱走 载流子的产生率 复合率 总反向电流密度 J反 ＝ J扩＋ J产 以 p+n 结例： Ge: Eg 小，ni2大，反向电流中扩散电流为主 Si: Eg 大，ni2小，反向电流中势垒产生电流为主 V ?, XD?, ? JG ? 不饱和，J反 缓慢增加 势垒区的产生电流 XD 势垒区宽度 反向扩散电流密度 势垒区的复合电流 正向偏压，从n区注入p区的电子和从p区注入 n区的空穴，在势垒区内复合了一部分，构成 了另一股正向电流。 总正向电流密度 J正 ＝ J扩＋ Jr 复合电流密度 Jr P N Ε内 + － ?正向电流密度的经验公式 扩散电流与复合电流之比与 V 有关 V ?，J扩/Jr 迅速 ?，?低 V时, Jr J扩 V ?，J扩/Jr 迅速 ?，?高 V时, Jr J扩 J/Js 实际pn结的电流电压特性 大注入情况 正向偏压较大时，注入的非平衡少子浓度接近 或超过该区多子浓度的情况 例如：p