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8.8 p-n 结 第 8 章 半导体晶体 固体物理导论 * p 侧的自由空穴倾向于通过扩散，均匀布满整个晶体；n 侧的自由电子亦是如此 p 型 n 型 这种电荷偶极层产生一个自 n 区指向 p 区的电场(内建电场)，它阻止扩散，维持两种载流子类型的分离，晶体内的静电势在结区出现跃变 扩散会破坏电中性，一旦发生由扩散引起的少量电荷转移，就在 p 侧流下过量的负电离受主原子，而在 n 侧的留下过量的正电离施主原子 * n 区和 p 区费米能级高低不同，在交界处形成一定的接触电势差，p 区相对于 n 区具有负电势 –VD，则 p区电子静电势比 n 区提高 eVD，填补了原来费米能级的差别 p 型 n 型 使两侧的费米能级拉平 * 虽然在结区存在静电势的跃变，但在整个晶体和结区内的化学势都是同样的常量 在热平衡中，空穴或电子的净粒子流为零，因为电流正比于化学势梯度，而不是单单正比于静电场梯度。浓度梯度刚好抵消静电场梯度 即使处于热平衡中，也应存在由 n 区进入 p 区的小的电子流 Jnr，在 p 区中这些电子同空穴复合。这种复合电流被 p 区中热产生的、向 n 区扩散的电子电流 Jng 所平衡 * 8.8. 1 整流 p-n 结可以起整流器的作用，如果在结上施加某个方向的电压，将会有一个大电流；如果施加相反方向的电压，则几乎没有电流 如果在结上施加一交流电压，则电流主要向一个方向流动，即达到整流效果 反向偏置电压是 p 区加负电压而 n 区加正电压，增加两个区间的电势差 * 加上反向偏置电压后，这时几乎没有一个电子能够由势垒低侧到达高侧。复合电流按玻尔兹曼因子减少 玻尔兹曼因子控制着具有足以越过势垒的能量的电子的数目。热产生的电流不特别受反向电压的影响，因为热产生电子反正都要由势能高处向势能低处移动( p→n ) 因此在反向偏置电压下热电流胜于复合电流 * 施加正向电压后，使势垒降低，从而使更多的电子由 n 侧流向 p 侧，所以复合电流增加 而热电流仍然不变 穿过结的空穴电流的行为类似于电子电流。降低电子势垒高度的外加电压同时也降低空穴的势垒高度，因此在同样的电压下，有正反两个方向的电子流和空穴流 * 空穴电流和电子电流彼此相加，即为总电流 锗内 p-n 结的整流特性 Is 为两种热产生电流之和 * 8.8. 2 太阳电池和光生伏打检测器 用光照射一个没有外加偏压的 p-n 结，每个被吸收的光子都产生一个电子和空穴 当这些载流子扩散至结区时，结区的内建电场把它们扫下势垒，载流子的分离产生跨越势垒的正向电压，这种效应称为光生伏打效应 p 型 n 型 如果在把 p-n 结接到外电路上就能形成持续电流，p-n 结的作用就相当于一个电源（太阳能转化为电能） 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 8.8 p-n 结 第 8 章 半导体晶体 固体物理导论