ISE使用方法.docVIP

附录 附录1：利用ISE对器件仿真时的步骤： 1.在ISE中建立一个新的项目 首先进入ISE TCAD运行的Linux操作环境，进入操作界面按照以下顺序进行创建新目录，Project →New → New Project。 在工作主界面的Family Tree目录下的No Tools边框上面，右键Add →Add Tool →Tools →MDraw →OK，在Create Default Experime边框选定OK ， 之后再在MDraw 工作框上右键Add →Add Tool →Tools →Dessis →OK，在Add Tool边框上点击确定After Last Tool →Apply →Tools →Inspect →OK。 这样，工作界面Family Tree目录下就有MDraw、Dessis、Inspect这三个工具组了。之后进行保存Project →Save As →输入工作名称 →OK就可以了，或者也可以直接点击保存的快捷图标进行保存。 2.建立器件网格 利用Mdraw模块建立SiC MESFET器件结构模型，包括器件的边界、掺杂、网格的划分和关键区域的加密； 首先要进行MDraw的绘制器件工作，右键MDraw →Edit Input →Boundary 进入MDraw的绘制器件结构工作区。 在MDraw绘制过程中，可以徒手绘制，这是默认模式的绘制方式。然而在大多数情况下，需要按照器件尺寸精确绘制，这时可以从Performance Area中点击Exact Coordinates选择精确坐标绘制。 接下来要选择器件的制作材料，打开Materials菜单，选择MESFET器件材料SiC。 绘制器件结构图时，选择Exact Coordinates，点击Add Rectangle增加矩形框，输入预先设计的各点坐标，设定器件各个结构的尺寸大小。 器件结构绘制完成后，需要在源、漏的欧姆金属和SiC接触面上添加欧姆接触层，另外栅的肖特基金属和SiC接触面上需要添加肖特基接触层，衬底和衬底合金界面同样需要添加接触层，这样仿真出来的结果才能更加符合实际情况。首先Add Contact，命名接触，然后点击Set/Unset Contact在器件表面添加接触。 接触设定以后，进行文件保存。器件Boundary的保存文件扩展名为 *.bnd。要保存边界文件，打开File →Save As。 下一步进行脚本文件保存，File →Save Scrip File。脚本文件全称为：工作文件名如SiC-MESFET /mdraw_mdr.tcl。 3 器件掺杂 进行区域掺杂，运行环境由Boundary切换到Doping 掺杂参数： n+源、漏区：Nd 2×1019cm-3； n-Channel ；Nd =1.7×1017cm-3； P-epi ：NA =1.4×1015cm-3； n-Substrate ：Nd =1×1017cm-3 掺杂确定以后，点击Build Mesh显示掺杂后的网格 细化网格：把原始网格划分成为更小的网格，网格划分的越小在器件仿真时更加接近器件真实情况 器件的主要工作部分是源、漏区和沟道层，有必要对沟道的网格进一步进行细化，以便进行仿真时，能得到更好的结果。 进行掺杂和网格的保存 .Dessis文件建立 在Family Tree中建立Dessis工具。 如图1所示，右击Family Tree中MDraw工具，在下拉菜单Add中选择Dessis工具加入Family Tree中。 在dessis_des.cmd文件中编辑SiC MESFET器件的仿真程序。 如图2和图3所示，右击Family Tree中Dessis工具，点击下拉菜单Edit Inputs中的commands，跳出dessis_des.cmd文件框，即可在此文件中编辑仿真程序。 .Inspect文件建立 1）在Family Tree中建立Inspect。 如图4和图5所示，右击Family Tree中Dessis工具，在下拉菜单Add中选择Inspect工具加入Family Tree中。 2）在inspect_ins.cmd文件中编辑SiC MESFET器件仿真结果及参数提取的程序。 如图6和图7所示，右击Family Tree中Inspect工具，点击下拉菜单Edit Inputs中的commands，跳出inspect_ins.cmd文件框，即可在此文件中编辑仿真结果及参数提取程序。