半导体中的杂质和缺陷.ppt.pptVIP

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理想半导体: 1、原子严格周期性排列,具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。 实际半导体: 1、总是有杂质、缺陷,使周期场破坏,在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中,对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 主要内容 §2-1 元素半导体中的杂质能级 一、杂质存在的方式 1、杂质存在方式 (2) 替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近 深能级杂质特点: 不容易电离,对载流子浓度影响不大; 一般会产生多重能级,甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用,使少数载流子寿命降低。 第二章 习题 1. Au失去一个电子—施主 Au+ Ec Ev ED ED=Ev+0.04 eV Ec Ev ED EA1 Au- 2. Au获得一个电子—受主 EA1= Ev + 0.15eV 3.Au获得第二个电子 Ec Ev ED EA1 Au2- EA2= Ec - 0.2eV EA2 4.Au获得第三个电子 Ec Ev ED EA1 EA3= Ec - 0.04eV EA2 EA3 Au3- Ec Ev ED EA Au doped Silicon 0.35eV 0. 54eV 1.12eV §2-2 化合物半导体中的杂质能级 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质 理想的GaAs晶格 价键结构: 含有离子键成分的共价键结构 Ga- As Ga Ga As Ga As+ Ga As 施主杂质 替代Ⅴ族元素 受主杂质 替代III族元素 两性杂质 III、Ⅴ族元素 等电子杂质——同族原子取代 ●等电子杂质 等电子杂质是与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子.替代了同族原子后,基本仍是电中性的。但是由于共价半径和电负性不同,它们能俘获某种载流子而成为带电中心。带电中心称为等电子陷阱。 例如,N取代GaP中的P而成为负电中心 电子陷阱 空穴陷阱 点缺陷:空位、间隙原子 线缺陷:位错 面缺陷:层错、晶界 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 1、缺陷的类型 §2-3 缺陷能级 2.元素半导体中的缺陷 (1) 空位 Si Si Si Si Si Si Si Si 原子的空位起受主作用。 (2) 填隙 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 间隙原子缺陷起施主作用 As Ga As As As As Ga As Ga Ga Ga As Ga As Ga As ●反结构缺陷 GaAs受主 AsGa施主 3. GaAs晶体中的点缺陷 ●空位VGa、VAs VGa受主 VAs 施主 ●间隙原子GaI、AsI GaI施主 AsI受主 e 4.Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的缺陷 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 离子键结构 —负离子 —正离子 + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - a.负离子空位 产生正电中心,起施主作用 + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + - + - + - + - + - + + - + - + - + + - + - + - + - + - 电负性小 * * ?杂质半导体 1. 浅能级杂质能级和杂质电离; 2. 浅能级杂质电离能的计算; 3. 杂质补偿作用 4. 深能级杂质的特点和作用 1、等电子杂质; 2、Ⅳ族元素起两性杂质作用 §2-1 元素半导体中的杂质能级 §2-3 缺陷能级 §2-2 化合物半导体中的杂质能级 点缺陷对半导体性能的影响 金刚石结构Si中,一个晶胞内的原子占晶体原胞的34%,空隙占66%。 杂质——与本体元素不同的其他元素 Si:r=0.117nm B:r=0.089nm P:r=0.11nm Li:0.068nm (1) 间隙式→杂质位于间隙位置。 Si Si Si Si Si Si Si P Si Li 1. VA族的替位杂质——施主杂质 在硅Si中掺入P Si Si Si Si Si Si Si P+ Si 磷原子替代硅原子后,形成一个正电中心P+和一个多余的价电子 束缚态—未电离 离化态—电离后 二、元素半导体的杂质 电离时,P原子能够提供导电电子并形成正电中心,——施主杂质。 施主杂质 施主能级 被施主杂质束缚的电子的能量比导带底Ec低,称为施主能级,ED。 施主杂质少,原子间相互作用可以忽略,施主能级是具有相同能量的孤立能

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