半导体物理课件Chapter6.pptVIP

Semiconductor Physics * * 反型层电荷主要由少数载流子决定，在低频时，它随电场的变化而变化，反型电容起重要作用。当频率高于某一频率值时，反型层电荷（少子电荷）将不能跟随交变信号变化，即少子的产生复合的速度跟随不上电场频率的变化，于是反型层电荷将不随交变电场变化，这意味着与反型层电荷相关的交变电容为0。 假设少子的响应时间由少数载流子产生－复合电流决定。 在响应时间内，要能够产生足够的少子补偿耗尽层电荷的作用 Semiconductor Physics * * 则响应时间为： 该值的典型值为：0.1~10秒。因此，当交变电压信号的频率高于100Hz时，反型层电荷将跟不上栅压的变化，只有耗尽电荷（多子行为）能够跟随电压信号的变化而变化，于是，Si电容只由耗尽层电容决定，由此确定的最小电容值发生在发生强反型的最大耗尽层厚度情形，表达式为： Semiconductor Physics * * Semiconductor Physics * * 图8-12 Semiconductor Physics * * ③ ③ Semiconductor Physics * * ★ 深耗尽状态 当偏压VG的变化十分迅速, 且其正向幅度大于VT , 则: 即使表面势VS2VB ,反型层也来不及建立, 耗尽层宽度随偏压幅度的增大而增大--深耗尽状态 当表面处于深耗尽--随VG增加, d增加(dM), MOS结构的电容不再呈现为最小值. Semiconductor Physics * * ★ 实际MOS结构 (Ⅰ) 功函数差异的影响 平带电压 --为了恢复半导体表面平带状态需要加的电压. 考虑功函数差异的影响: VFB= - Vms Semiconductor Physics * * Semiconductor Physics * * 理想MOS结构 金属-氧化物(SiO2)-半导体(Si) （MOS）结构是主流半导体器件CMOS的重要组成部分， 典型的结构如Al/SiO2/p-Si， 其基本的能带结构参数如下图所示。 Semiconductor Physics * * 理想MOS结构的定义 首先讨论p-Si作为衬底的理想的MOS结构。所谓理想的MOS结构满足如下一些条件： 金属与半导体的功函数相同，即： φM = φS ? Vms=0 氧化层是理想的绝缘体，即电阻率无穷大，没有体电荷和缺陷态存在； ? Qox=0 氧化层与半导体Si界面是理想的界面，即没有界面电荷和界面态存在； 金属与氧化层界面是理想的界面，没有界面缺陷存在。 ? Qss=0 Semiconductor Physics * * 理想MOS结构的能带图 热平衡情形能带结构： 1）三种材料接触构成MOS结构，在热平衡情况下Ef =常数，正如schottky接触或P-N结二极管。 2）通过SiO2的电流为0，因此，MOS结构由靠自身结构首先由非平衡达到平衡的过程将非常漫长，或者需要通过辅助的导电路径，实现热平衡。 理想MOS的平衡能带图 对于MOS结构，重要的是了解不同偏置电压下的能带结构和电荷分布情形 Semiconductor Physics * * Semiconductor Physics * * 理想MOS结构的各种状态 在理想的情形，由于在Si中没有净的电流存在，因此，在各种栅压条件下， Si内费米能级将保持平直，这意味着在各种栅压下，半导体都可作为热平衡状态处理。 通常将Si表面电势相对于Si体内电势的变化称为表面势。 在各种栅压条件下，MOS结构的能带将会出现：积累、平带、耗尽、反型等几种情形。 需要了解不同栅压下，表面势、电荷分布的变化情况。 Semiconductor Physics * * 理想MOS结构的各种状态 平带情形：表面势为0的情形。 积累情形：Si表面产生多子积累的情形，对P-Si来说，是空穴积累的情形，Si表面的价带将更靠近费米能级，发生能带向上弯曲的现象。 耗尽情形：半导体表面发生多子耗尽的情形。对P-Si，发生空穴耗尽，能带向下弯曲，表面势为正值。 反型情形：半导体表面发生少子浓度超过多子浓度的情形，故称为反型。此时，能带向下弯曲，并在表面处，费米能级低于本征费米能级。这种表面出现少子浓度高于多子浓度的现象是在外加场作用下发生的，称为场效应反型现象。 Semiconductor Physics * * 各种状态下的电势和电荷分布 积累和耗尽情形 （1）在硅中费米能级依然是常数。 （2）空穴积累时，空穴浓度在硅表面处比体中大，硅表面处EV 和EF比较接近，能带向上弯曲。积累的表面空穴分布在硅表面很窄的德拜长度内，可近似看成薄层电荷，这一