霍耳效应及其应用.docVIP

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霍耳效应及其应用 1879年,美国霍普金斯大学研究生霍耳(E. H. Hall, 1855-1938)发现磁场中的载流导体上有电势差产生,后来把这种现象称为霍耳效应。当时人们还不知道电子的存在,无法对霍耳效应做出正确的解释。直到1897年,汤姆逊(J. J. Thomson, 1856-1940)发现了电子,人们知道了金属导电的机理,金属中的自由电子定向运动形成电流,以及运动电荷在磁场中受到洛仑兹力的作用等。但由于金属中的霍耳效应太弱而未能得到应有。1948年后,随着半导体材料的问世,人们发现用半导体材料做成的霍耳元件其霍耳效应较为显著,并得到实际应用和发展,现在广泛应用于电磁测量、电动控制、非电量的测量等方面。近年来,霍耳效应实验不断有新发现,1980年西德物理学家冯·克利青(V. Klitzing, 1943- )在低温和强磁场下发现了量子霍耳效应,并取得应有。 一、实验目的 掌握霍耳效应的原理; 测绘霍耳元件的-,-曲线,了解霍耳电压与霍耳元件工作电流、励磁电流(磁感应强度)之间的关系; 学会利用霍耳效应测量磁感应强度的方法; 学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二、实验仪器 霍耳效应实验仪、霍耳效应测试仪 三、实验原理 1.霍耳效应 若将通有电流的导体置于磁场中,磁场(沿轴)垂直于电流(沿轴)的方向,如图1-1所示,则在导体轴方向上产生一个电势差,这种现象称为霍耳效应,该电势差称为霍耳电压。 图1-1 霍耳效应 这一效应对金属来说并不显著,但对半导体较为显著。霍耳效应是由于运动电荷在磁场中受到洛伦兹力作用而产生的。半导体中的电流是由载流子(电子或空穴)的定向运动形成。当电流沿轴正向流过半导体(假设为N型)时,半导体内的载流子为电子,平均迁移速率为,则载流子受到的洛伦兹力的大小为 (1-1) 在的作用下,电子流发生偏转,聚积在半导体的端面上A’上,而使端面A上出现剩余正电荷。由于电荷的聚积形成一个纵向电场,方向由A指向A’,电场对载流子产生了方向和相反的静电力,其大小为 (1-2) 阻碍着电荷的进一步聚积,最后达到动态平衡状态,即 (1-3) (1-4) 其中为霍耳片宽度,为A、A’间的霍耳电势差,霍耳电势差就是由这个电场建立起来的。 图1-1所示为半导体为N型(电子型)时的情况,如果为P型(空穴型)半导体,则电场的方向与前者相反,所以N型、P型半导体的霍耳电压有不同的符号,据此可以判断半导体的类型。 由于霍耳片中的电流与霍耳片的载流子浓度、载流子电荷、迁移速率以及霍耳片的截面积之间的关系为,则空穴的速率,代入式(1-4)有 (1-5) 式(1-5)中,称为霍耳系数;称为霍耳元件的灵敏度,单位为mV/(mA·T),它的大小与材料特性、霍耳片厚度有关。 由式(1-5)可以看出,知道了霍耳片的灵敏度,只要分别测出霍耳片中的电流及霍耳电势差即可算出磁场的大小,这就是霍耳效应测磁场的原理。 2.实验中的副效应及其消除原理 在实际测量过程中,还会伴随着各种副效应,产生的附加电压叠加在霍耳电压之上,形成系统误差,这些副效应有: (1)不等位电势差 由于制作霍耳元件时,霍耳电压的两根引线不可能绝对的焊在同一个等势面上,因此即使不加磁场,只要霍耳片上通以电流,两引线间就有一个电势差,,方向随的换向而改变,与磁场方向无关。大小在所有附加电势中居首位。 (2)爱廷豪森效应 当放在磁场中的霍耳片通以电流后,由于载流子迁移速率不同,载流子所受的洛伦兹力不相等。在到达动态平衡时,慢速和快速载流子在洛伦兹力和静电力的共同作用下,沿轴分别向相反的两侧偏转,从而导致霍耳片一面出现快速载流子,温度高,一面出现慢速载流子,温度低,于是两端面形成温度差,这一温差在两端面间产生温差电动势,,方向随、的换向而改变。 (3)能斯托效应 由于霍耳片中电流的两个电极与霍耳元件的接触电阻不同,通电后在两极处发热程度不同,引起两极间的温差电动势,此电动势又产生温差电流(热电流),这个电流在磁场作用下,也会在方向产生电势差,,方向随的换向而改变。 (4)里纪-勒迪克效应 上述热电流的载流子迁移速率不尽相同,在磁场作用下,类同于爱廷豪森效应,霍耳片两端面形成温度差,从而引起附加电动势,,方向随的换向而改变。 (5)附加电动势 霍耳片所在空间如果沿轴方向有

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