数字电路逻辑设计 第3章2 MOS管.pptVIP

MOS管除分N沟道、P沟道外，还分增强型和耗尽型。增强型栅压VGS为0无沟道，耗尽型栅压VGS为0有沟道。 1、MOS管的基本结构 以N沟道增强型为例 源、漏极结构对称，可以互换使用 P衬 P型衬底，N型沟道 2、 N沟道增强型MOS管的工作特点： 3、转移特性和跨导gm VGS 和 IDS的关系 通常用跨导表示： ? I DS gm= ———— ? VGS VDS=常数 它代表VGS对 IDS的 控制能力。gm与沟道宽 度和长度有关。 沟道宽 度越宽、长度越短，g m 越大，控制能力越强。 4、MOS 管的输入电阻和输入电容 MOS管的输入阻抗指栅极到源极（或漏极）的电阻， 由于有SiO2绝缘层的阻隔，电阻极大，通常在1012欧姆以 上。作为静态负载对前级几乎没有什么影响。 MOS管的栅极、源极之间有很小的寄生电容，称为 输入电容，虽然很小（几P或更小），但由于输入阻抗 极高，漏电流很小，所以可用来暂时存储信息（如动态 RAM）。 （二）、MOS 反相器 MOS反相器有四种形式，我们只讲E/E型、CMOS反相器。 E/E MOS 反相器有两个增强型MOS 管组成，一个作为输入管，一个作为负载管，两个管子的特性（如跨导）完全不同。 由N沟道管构成的反相器叫NMOS反相器。 见图： E/E MOS 反相器的特点： 单一电源，结构简单。 负载管TL始终饱和，速度慢，功耗大。 高电平不为VDD，有所损失。 输出高低电平，取决于两管跨导之比。负载管跨导小， 电阻大，影响工作速度。 （1）当Vi＜2V，TN截止，TP导通，Vo≈VDD=10V。 1．CMOS逻辑门电路的系列 （1）基本的CMOS——4000系列。 （2）高速的CMOS——HC系列。 （3）与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。 2．CMOS逻辑门电路主要参数的特点 （1）VOH（min）=0.9VDD； VOL（max）=0.01VDD。 所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大。 （2）阈值电压Vth约为VDD/2。 （3）CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。 （4）CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门； （5）因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，可达50。 （2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。 本章小结 VDD T′P TN F T′N A EN 反相器＋控制门的另一种形式 特点：增加TNˊ和 与非门 TNˊ截止，与非门输出为1,TPˊ也截止。上、下都不通。悬空，是高阻态。 TNˊ导通，与非门开放，F = A 。 ③反相器＋传输门 EN是高有效。 TG导通 TG截止，F为高阻。 C 是低有效。 EN = 1: EN = 0: A VDD TG 1 F 后级为与或非门，经过逻辑变换，可得： CMOS异或门电路 由两级组成，前级为或非门，输出为 CMOS逻辑门电路的系列及主要参数 多余输入端的处理 （1）对于与非门及与门，多余输入端应接高电平。如直接接电源正端，在前级驱动能力允许时，也可以与有用的输入端并联使用。 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ * * 目的：更好的使用CMOS集成电路， D G S D G S 栅极电压VGS小于开启电压VGS（th）时，无沟道形成，漏极电流ID为0。VDS爱多大多大！（截止区） 栅极电压VGS大于等于开启电压VGS（th）时，沟道形成，有ID形成，分两种情况： a、VDS较大，大于 VGS — VGS（th），ID随VGS的增加而增加。但很快VDS 已使 ID 饱和，没什么影响了。 （饱和区） b、VDS较小，小于VGS — VGS（th），ID随VGS的增加也增加，但与VDS的大小密切相关。 或者也可以这样说：对某一VGS，ID随VDS线性增加，且VGS越