1太阳电池发展简史.ppt

——住宅设计 二、中国太阳能电池的发展 《中华人民共和国可再生能源法》 “十一五”规划中明确提出，要加快发展风能、太阳能、生物质能等可再生能源 《可再生能源中长期发展规划》 《中国的能源状况与政策》白皮书 国内政策法律支持 一、孕育期 上世纪80 年代中期以前，除了空间太阳电池由专门科研机构研制和生产外，武汉、宁波、昆明、西宁、成都等地的一些民用半导体器件厂利用废次单晶硅片和p-n 结二极管工艺制作地面用太阳电池，开始了我国地面光伏产业的孕育期. 二、初步形成期 80年代中期－末期，国家帮助宁波和开封两个厂引进关键太阳电池生产设备，形成专业化太阳电池生产厂，随后秦皇岛华美和云南半导体厂分别引进全新和二手全套太阳电池生产线、哈尔滨－克罗那公司和深圳宇康公司分别引进非晶硅太阳电池生产线，至此我国太阳电池产业初步形成，生产能力达到4.5 MWp 三、稳定发展期 90年代中期－末期为我国太阳电池稳步发展期，经过引进、消化、吸收和再创新，太阳电池生产技术和工艺得到稳定发展和提高，生产量稳步增长，基本满足国内市场的需要并有极少量的出口. 四、快速发展期 进入本世纪以后，我国太阳电池的生产进入快速发展期。保定英利率先突破原有的单晶硅和非晶硅电池生产，筹建3MWp 多晶硅电池生产线； 2001 无锡尚德建立10MWp 太阳电池生产线获得成功，2003－2005 年，在欧洲特别是德国市场拉动下，继无锡尚德和保定英利的持续扩产，其他多家企业纷纷建立太阳电池生产线，使我国太阳电池的生产迅速增长。 围绕着太阳电池生产，我国逐步形成了一个较完整的光伏产业链，它包括多晶硅原材料制造、硅锭/硅片生产、太阳电池制造、组件封装和光伏系统集成应用等整个产业链。同时，也带动了相关联的产业，如各环节的专用材料制造、专用设备制造以及光伏系统平衡部件制造等的发展。 三、我国太阳能 电池的研发和水平 太阳能电池要取得全面的大规模的发展，所面临的主要问题就是成本，因为它的是与常规能源相竞争的。 在晶体硅与薄膜电池两个领域，目前发展的方向就是：高效、低成本。因为提升转化效率即等于降低成本。 晶体硅太阳能电池在21世纪的前20年内仍将是居主导地位的光伏器件，在生产和应用总量中占首位，并将向效率更高、成本更低的方向发展。 在减低生产成本方面所做的努力主要有：要采用大容量的晶体生长装置，先进的切割设备以切割更薄的硅片、扩大平面晶体面积等方式。 制约晶体硅太阳能电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有： 1、电池表面栅线遮光影响； 2、电池表面光反射损失； 3、光传导损失； 4、内部复合损失； 5、表面复合损失等。 1、钝化发射极、背面局部扩散太阳能电池（PERL）　 电池正反两面部进行氧钝化，并采用光刻技术将电池表面的氧化硅层制作成倒金宇塔，两面的金属接触面都进行缩小，其接触点进行了硼与磷的重掺杂。用此法制备的单晶硅电池效率已达24.7%，多晶硅电池效率已达19.8%。 2、埋栅太阳能电池（BCSC) 采用激光刻槽或机械刻槽。激光在硅片表面刻出宽度为20um左右的槽，然后化学镀铜，以形成电极，它的主要特征是：①随机绒面，降低了表面反射率；②选择性发射极，获得了最佳的光谱响应及最小的接触电阻。③激光刻槽埋栅电极（LGBG），达到了最小的遮光率，高电导率的铜电极。这种电池的批量生产效率已达17.8%，因此已具有工业化生产的意义。目前我国这种电池的实验室效率为21.55％。 3、高效背表面反射器太阳能电池（BSR）　 在太阳能电池的背面和背面接触之间用真空蒸镀的方法沉积一层高反射率的金属表面一般为铝从而反射能被电池吸收并转换为电能光的波长。对硅电池来说，约为1150nm，比它更长的任何辐射波都容易透过半导体材料进入背表面反射器。电池的厚度越薄，背反射器的作用越明显。所谓背反射器，就是将电池背面做成反射面，它能反射透过电池基体到达背表面的光，从而增加光的利用率。这样，可增加电池对长波光的吸收，使短路电流增加。 4、高效低阻硅太阳能电池（RESC）　 它是一种用电阻率为0.2Ω?cm和0.3Ω?cm的ｐ型区熔硅制成的电池。其特点是在电池的发射区制备一层钝化层。这种结构的电池，减少了表面密度，抑制了表面复合速度。其扩散结较深，约为0.7um，在保持较高短路电流密度39.2ｍA/cm2的同时，具有相当高的开路电压670mV和较高的填充因子(82.1%)。该电池在AM1.5、100ｍA/cm2、25℃±2℃的条件下测试，其转换效率可达