单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管阵列研究.pdfVIP

969 中国科学E辑工程科学材料科学2004，34(9)：969—978 单晶硅基底上制备定向生长碳纳米管 阵列的研究球 郑瑞廷①程国安① 彭宜斌①@赵 勇①@刘华平①梁昌林① (①北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室材料科学与工程系，北京100875；②天津民航 学院理学院，天津300300；③南昌大学物理系，南昌330047) 摘要 采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备出了定向性好、与基底结 合牢固的碳纳米管阵列，研究了制备工艺对定向生长碳纳米管阵列薄膜的影响． 研究发现：生长温度在750。C，催化剂厚度在10am左右易于形成定向生长的碳 纳米管薄膜．在混合气中乙炔的浓度为27％(体积百分比)时，可以获得管型准 直、管壁较厚、与基体结合牢固的碳纳米管阵列．另外，对于碳纳米管的定向生 长机制及提高其与基体之间的结合力的方法进行了初步探讨． 关键词 碳纳米管定向生长单晶硅化学气相沉积 微镜下发现了碳纳米管以来，碳纳米管以其良好的性能，吸引了物理、化学、材 料及电子等领域专家的极大关注，在全世界掀起了碳纳米管的研究热潮．目前关 于碳纳米管的特性和制备方法的研究，已经取得了很大的进展，研究重点正转向 大规模生产和应用领域口J． 众多研究【34】表明，碳纳米管阵列具有较低的发射阀值电压和较高的发射电 流，是一种优良的场发射阴极材料，有望用于制造冷阴极平板显示器或纳米电子 学前沿领域．在硅衬底上生长碳纳米管阵列的工艺与现行的微电子器件的制备 工艺完全兼容，这就为碳纳米管和硅器件的集成提供了可能．因此，研究在硅基 上制备定向生长的碳纳米管阵列有着十分重要的意义． 纳米管以来，定向碳纳米管制备技术取得了长足的进展．deHeer等人【61采用多孔 2003．08．1 1收稿，2004．07．22收修改稿 +国家自然科学基金(批准号和北京市科学技术研究院萌芽计划资助项目 INCHINASer．E Science SCIENCE EngineeringMaterials 中国科学E辑工程科学材料科学 第34卷 膜过滤的方法获得了取向排列的碳纳米管，Li等人【7】利用溶胶凝胶法制备的基底， 制备出定向生长的碳纳米管阵列．目前，制备定向生长的碳纳米管的方法主要分 所以可以制备出疏密可控、垂直性好的碳纳米管阵列．但是PECVD的设备要求 较高，而且其腔体尺寸限制了碳纳米管阵列的面积，不利于制备大面积的碳纳米 管阵列的制备．热CVD方法很多是通过在介孔材料或平面基底上沉积催化剂颗 01、 粒，然后通过气相沉积获得定向生长的碳纳米管．介孔材料基底包括多孔硅【l 沸石‘111及氧化铝基底‘121．微孔限制了金属颗粒的形状和碳原子的析出方向，故而 导致了碳纳米管的定向生长．不过介孔状材料的引入会增加在硅基上制备定向 生长的碳纳米管阵列的工艺复杂性和成本． 采用TCVD方法在平面硅基底上制备定向生长的碳纳米管，设备要求不高， 工艺简单，具备大规模生产的潜力．但是其竹节型的管型结构和容易从基底剥落 的缺陷U 究了工艺条件对定向生长碳纳米管薄膜形态的影响，获得了直径均匀、管型良好 且与基底结合力很强的定向碳纳米管阵列薄膜． 1 实验方法 mm×10 采用10 mm的n型硅111晶向抛光片(电阻率为4～4．8 Q·cm)为 基底．硅片经超声波振荡清洗后，利用磁过滤MEVVA源弧离子镀设备，在硅片 表面上沉积一层2~40nm的铁作为碳纳米管生长的催化剂．沉积铁之前，先对硅 表面进行离子轰击以清洁表面．碳纳米管的生长在ZKL．2F型自动控温扩散炉