4金属自由电子理论.pptVIP

电子气和晶格振动对摩尔热容贡献之比为： 3.低温时金属比热 在温度甚低时，两者的大小变得可以相比，晶体的摩尔热容量可以表示为： 第三节 功函数和接触电势差 本节主要内容: 4.3.1 功函数 4.3.2 接触电势差 接触电势:两块不同的金属A和Ｂ相接触，或用导线连接起来，两块金属就会彼此带电产生不同的电势VA和VB，这称为接触电势。 Ｂ + + + - - - - - - + + + - - - VA VB 接触电势差 A + + + 金属中电子的势阱和脱出功 ＥＦ ? E0 电子在深度为E0的势阱内，要使费米面上的电子逃离金属，至少使之获得?=E0－ＥＦ的能量，?称为脱出功又称为功函数。脱出功越小，电子脱离金属越容易。 §4.3 功函数和接触电势差 4.3.1 功函数 1.功函数 发射电流密度： 2.里查孙－德西曼公式 热电子发射：电子从外界获得热能逸出金属的现象称为热电子发射。 ---里查孙－德西曼公式 根据实验数据作 图，则得到一条直线。由此可确定金属的脱出功?。 电流密度：某点电流密度大小等于通过与该点场强方向垂直的单位截面积的电流强度。 电流强度：等于单位时间内通过导体某一横截面的电量。 S 经典理论求电流密度。 设金属中电子运动速度的平均值为 。单位体积内自由电子数为n，电子电