薄膜太阳能电池的研究进展.docVIP

薄膜太阳能电池的研究进展 1.论述太阳能电池的简介 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。 能源危机引起了全世界各国的有识之士的密切关注，人们开始向可再生能源（风能、潮汐能、太阳能等）投入大量的人力物力来解决能源危机问题。 其中，太阳能是最理想的可再生能源之一。据估算，太阳每年照在地球表面上的能量大约在3×1024焦耳，人类目前一年所消耗的能源仅为它的十万分之一，也就是说太阳每年照射到地球表面上的能量是我们人类目前消耗量的一万倍，如果把照射到地球表面的太阳能的千分之一，按照百分之十的转化率，也就是万分之一转化成电，就能满足人类目前能源消耗量。 据记载，人类利用太阳能已有3000多年的历史。将太阳能作为一种能源和动力加以利用，只有300多年的历史。 而从真正的对太阳能的研究始于1839年法国物理学家E.Becquerel对液体光伏效应的发现。随后在1877年W.G.Adams和R.E.Day研究了硒（Se）的光伏效应，并制作第一片硒太阳能电池，给人们了太阳能电池的研究方向。直到1954年贝尔实验室研究人员D.M.Chapin、C.S.Fuller和G.L.Pearson报道了4.5%转化效率的单晶硅太阳能电池的发现，几个月后转化效率达到了6.5%，太阳能电池真正的得到广泛的应用。今天，世界太阳能电池年产量超过760MW，德国研发的晶体硅太阳能电池效率最高达到了20%。 我国早在1958年就开始研制太阳能电池，1959年我国中科院半导体所研制成功了具有实用价值的太阳能电池，并在1971年3月在我国发射的第二颗人造卫星——科学试验卫星实践一号上首次应用太阳能电池。现在，我国的太阳能电池组件产量在10MW/年以上，我国已成为世界重要的光伏工业基地之一，初步形成一个以光伏工业为源头的高科技光伏产业链。 Cd-Te、Cu-In-SeGa-As等为代表的新型无机多元化合物薄膜太阳能电池。 3.2.1 Cd-Te薄膜太阳能电池 Cd-Te薄膜太阳能电池属于多晶薄膜太阳能电池，由于Cd-Te基电池结构简单，成本相对较低，成为近年来国内外研究的热点。Cd-Te存在自补偿效应，制备高电导率同质结很困难，实用的电池多为异质结结构。Cd-S的结构与Cd-Te相同，晶格常数差异小，是Cd-Te基电池最佳的窗口材料。Cd-Te/Cd-S薄膜太阳能电池制备技术主要有真空蒸镀法、溅射法、电化学沉积法等。目前Cd-Te/Cd-S薄膜太阳能电池的实验室转化率已达到16.5%[10]。关于 Cd-Te薄膜在太阳能电池中的应用，Alessio Bosio等[11]对制备高效Cd-Te/Cd-S太阳能电池的方法进行了综述，指出Cd-Te薄膜技术是大面积组件产品的关键。随着实验室研究和工业生产工艺研究的不断探索，Cd-Te基薄膜太阳能电池有望成为市场主角。 3.2.2 CIS薄膜太阳能电池 CuInSe2是一种三元化合物，是直接带隙的半导体材料，常温下带隙宽度为1.0eV，光吸收系数很大（大于104），0.5μm厚的CuInSe2可以吸收 90%的太阳能光子，所以薄膜不需很厚，可以降低成本。由于太阳光的最佳禁带宽度为1.45eV所以在CuInSe2上掺杂其它元素可以使其接近最佳禁带宽度。目前主要用Ga代替部分In，用S代替部分Se来实现。同时可以调整In/Ga的比值使材料带隙宽度覆盖1.05-1.7eV，从而大大提高CuInSe2转化效率。K.Ra2manathan等[12]制备出了转化效率达19% （CuInSe,S)2太阳能电池。M.A.Contreras[13]和Miguel A[14]在不同条件下得到Cu（In,Ga)Se2太阳能电池的转化效率分别为19.5%和20%，几乎和单晶硅太阳能能电池转化效率相当。CIS(CIGS)薄膜太阳能电池被认为是一种很有发展前途的太阳能电池，但目前的研究还是处于实验阶段，如何进一步提高转化率，降低成本，探索新的工艺条件，提高制作过程的可重复性，寻找CIS(CIGS)可替代新的廉价、无毒元素来掺杂等问题有待解决。 3.3纳米晶薄膜太阳能电池 纳米晶薄膜太阳能电池是人们在探索电池制备新工艺、新材料和电池薄膜化过程中发展起来的一种新型光伏器件，受到了国内外研究者重视。 3.3.1 TiO2基薄膜太阳能电池 TiO2是一种价格便宜、无毒、稳定且抗腐蚀性良好的半导体材料。纳米尺度的TiO2为宽禁带半导体，对太阳光的吸收率很低。需要对TiO2薄膜进行敏化。一是与窄禁带半导体复合。如 Zhaoyun Liu[15]用SnO2与TiO2复合制备TiO2/SnO2复合膜，并讨论了TiO2:SnO2的比例对光电流的影响。二是杂质掺杂敏化。如Sahi A[16]用溅射方法制备掺N的TiO2杂化膜，其吸收光谱比TiO2宽。三