硅基AAO模板内电化学沉积ZnO纳米线及其光电性能研究.pdfVIP

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2015-09-16 发布于湖北
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硅基AAO模板内电化学沉积ZnO纳米线及其光电性能研究.pdf

第4l卷第l期人工晶体学报 v01．4lN。．1 兰Q!兰堡兰旦』Q堕曼堕垒垦Q!墨!堕!旦垦旦鱼鱼垦!塑垒坚 !!坠型!翌!垫!三硅基AAO模板内电化学沉积ZnO纳米线及其光电性能研究李芹，张海明，李菁，杨岩，缪玲玲 (天津‘I：业大学理学院，人津300160) 摘要：本文利用二次阳极氧化法在P型低阻(100)晶向的硅衬底上制备了AAO／Si，以硅基AAO为辅助模板，采用 Si模板里，直径约45nnl，长度约为600 nm。XRD和拉曼光谱表明ZnO具有六角纤锌矿多晶结构。光致发光(PL) 谱图表明ZnO／AAO／Si复合结构在565nin附近有较宽黄绿发射峰，在395nm附近有微弱的紫外发射峰。场发射测试结果表明，ZnO纳米线的场增强因子的口值为2490，场增强因子很高，具有广泛的应用前景。关键词：电化学；ZnO；场发射中图分类号：061I 文献标识码：A on andPhotoelectricofZnO Study Preparation Properties NanowireswithinAAO／SiSubstrate Process byElectrodeposition L／Qin，ZHANGHai—ming，LIJing，YANGYan，MIAO肪曙一ling of (SchoolScience，TianjinPolytechnicUniversity，Tianjin300160，China) 13October201 7November201 (Received 1，accepted 1) substratewas a film Ab鳓隐ct：AAO／Si anodizationofMuminumontheSisubstrate． preparedbytwo-step nanowireswere ZnO at80℃inthewaterbathslot zinc synthesizedbyelectrodepositionprocess using nitrate and withsilicaAAO for and hexahydratediethylenetriamine structure templateauxiliary．The ofZnO／AAO／Si structurewerecharacterizedelectron opticalproperties composite byscanning microscopy andSOon．Scanelectron (SEM)，X—raydiffraction(XRD)，Raman