2010-膜离子通道总复习汇总.docVIP

2010总复习 基本定义和概念： 欧姆定律：I＝G×(E－Erev)；膜电势＝膜内－膜外；电流方向规定从胞内流向胞外为正；膜等效电路；离子选择性. Erev＝RT/zF*ln(PA[A]o/PB[B]i) Erev＝RT/F*ln(（PK[K]o＋PNa[Na]o+PCl[Cl]i）/ (PK[K]i＋PNa[Na]i+PCl[Cl]o)) 动作电位产生原因：Na/Ca的内流, K的外流产生动作电位 动作电位产生于Na通透性的增加： 电击后，膜电位首先从Vrest增加并超过0 mV达到最大值（叫去极化）之后开始下降至Vrest或更低时叫复极化或超极化。 AP：All-or-none;有阈值（去极化10-15 mV）; 动作电位是一种脉冲式的电信号（常见于CNS中）。见图。 有关动作电位的名词：去极化: 极性程度的减弱?代表速率常数。 Eyring 速率定律：k?T???k???exp(-?G/RT). 用近似T=27310. 任意温度间隔??的系数：?T=(Q10)?????. 其它术语： Rundown：全细胞模式下，由于胞内的小分子能量物质可以通过电极流失而导致通道电流在很短时间内减小或消失，且不可恢复，可以在电极中加入ATP, Mg，cAMP等物质消除Rundown现象； Desensitization：加入Ach的几秒钟后，宏观终板电导减小或微观Ach电流减小。这个过程叫配