数字电路第7章半导体存储器.pptVIP

阜师院数科院 §7. 1 概述 2716的工作方式 §7. 3 读写存储器( RAM ) VCC Wi D D I/O R / W 1 2 3 T2 T3 T4 T5 T6 Q Q T1 字线 数据线 数据线 T5和T6是门控管， 由字线Wi控制其导通或截止： Wi＝1 ， 否则就截止。 T5 T6 两管导通； 门控管T5和T6导通时可以进行“读”或“写”的操作： VCC Wi D D I/O R / W 1 2 3 T2 T3 T4 T5 T6 T1 字线 数据线 数据线 R / W的控制作用： = 0时， R/W 而门2处于高阻状态， 0 三态门1、3接通， 0 0 使 I/O 信号得以经过门1、3送到数据线上，以便写入 。 VCC Wi D D I/O R / W 1 2 3 T2 T3 T4 T5 T6 T1 字线 数据线 数据线 R / W的控制作用： R/W ＝1 时， 门1、3处于高阻状态， 1 门2接通， 1 将数据线上电位送到 I / O，以便读出。 1 7.3.2动态随机存储器(DRAM) 静态RAM存储单元所用的管子多，功耗大，集成度受到限制，为了克服这些缺点，人们研制了动态RAM。动态RAM存储数据的原理是基于MOS管栅极