高调节范围RF MEMS压控电容的设计与模拟.pdfVIP

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2015-09-16 发布于湖北
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高调节范围RF MEMS压控电容的设计与模拟.pdf

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高调节范围RF MEMS压控电容的设计与模拟.pdf

第卷增刊半导体学报 24 Vol. 24 Supplement 年月 2003 5 C~INESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS May 2003 ================================================================= 高调节范围RF MEMS 压控电容的设计与模拟% 梁雪冬刘泽文刘理天李志坚清华大学微电子学研究所北京 ( 100084) 摘要对传统平行极板压控电容的局限性进行了理论分析提出了一种新型的高调节范围压控电 : MEMS MEMS 容它的特点在于使用了三对极板其中的一对是电容极板另外两对是控制极板电容极板用于传输交流信号而 . . 直流控制电压施加在控制极板上使用有限元分析软件对其进行了建模与仿真得出其调节范围高达 . AnSyS 大大超出了传统的平板电容在调节范围上的自然限制设计了该电容的工艺流程其工艺流程比较 214% (50% ) . . 简单很容易集成在标准的CMOS 集成电路中. 关键词压控电容崩塌效应牺牲层聚酰亚胺 : MEMS EEACC : 2130 1210 2575 中图分类号: 532. 5 文献标识码: 文章编号: 0253-4177(2003) 0-0179-04 TM A S 69. 8% 仅略大于传统的平行极板 MEMS 电容的引言理论调节范围同时它用到了铜牺牲层技术以及电 1 . 镀工艺实现较为困难 . 随着射频通讯技术的发展微型化和可集成的我们设计了一种全新结构的压控电 MEMS 无源器件越来越受到研究人员的重视. 由于MEMS 容只有一层悬浮结构因此其工艺流程比较简单