旋转喷镀法制备GHz高磁导率NiZn铁氧体膜.pdf

第35卷第5期 华 中 科技 大学学报(自然科学版) V01．35No．5 Univ．ofSci．Tech．(NaturescienceEdition) 2007 2007年5月 J．Huazhong May 旋转喷镀法制备G 沈 翔 冯则坤 龚荣洲 刘昌辉 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 流量同时喷镀在90℃转盘上的玻璃衬底上以单质氧为氧化剂生成了厚度1～2扯m的NiZn铁氧体薄膜．X射 线衍射数据表明制备的NiZn铁氧体薄膜具有尖晶石结构．氧化液pH值等于8．8时制备的薄膜的组成是 GHz Ni。．zsZno．。。Fe2．660t，有313kA／m的大的饱和磁化强度和692．5A／m的低的矫顽力．在O．1GHz到3．5 频率范围内用Agilent8722ES矢量网络分析仪通过短路微带线微扰法测量了薄膜的复数磁导率．薄膜的复 GHz频率 磁导率的实部卢：在o．5GHz为36．1，虚部正在o．8GHz达最大值55．5．磁导率虚部值在o．5～2 范围大于20，制备的薄膜将可以应用于微波频段的电磁干扰抑制器． 关键词：Ni—Zn铁氧体薄膜；旋转喷镀法；复磁导率 文献标识码：A 中图分类号：TN304．055 文章编号：1671—4512(2007)05一0076一03 NiZnferritefilmswith Spin—sprayplated in permeabIe highIy gigahertzrange Ze是“n S^P竹Xi口以gFP，29 Gb咒gRo竹gz^o“ Li甜C^口扎g^“i ofElectronicScienceand (Deptartment Technology，HuazhongUniversity and ofScience 430074，China) Technology，Wuhan ferritefilmsof thicknesswere onthe substrates Abst髓ct：NiZn 1～2肛m preparedglass byspin—spray method asoxidantat90℃fromareaction of plating usingoxygen s01ution anda solutionof diffractiondatashowthattheferrite NiCl2+ZnClz buffering CH3COONH4．X—ray film at 8．8hasa diffractionof