晶面择优取向ZnO纳米棒阵列膜的制备及其光催化活性研究.pdf

648 助 能 材 斟 晶面择优取向ZnO纳米棒阵列膜的制备及其光催化活性研究。 马 磊1，李新勇1，邹龙江1，金燮1，陈国华2 (1．大连理工大学环境与生命学院工业生态与环境工程教育部重点实验室，辽宁大连116024； 2．香港科技大学化工系，香港) 摘要： 采用简单、低温的方法，在修饰过的Zn片土 低温湿化学法在涂有ZnO纳米粒子薄膜的基底上制 成功制备出具有高度取向的ZnO纳米棒阵列。用 备出晶面择优取向特性的ZnO纳米棒阵列。在此基 SEM、XRD和PL技术对制备出的ZnO纳米棒的结构础上，研究了晶面择优取向特性的ZnO纳米棒阵列光 和谱学特性进行了表征，并通过降解甲基橙溶液研究 致发光特性及光助催化分解有机污染物特性，探讨了 了其光催化活性。结果表明，Zn0纳米棒是六方钎锌 ZnO纳米棒阵列结构特性与光助催化特性之间的关 矿晶，与基底垂直，具有沿(002)晶面择优生长的特征。系，所得研究结果对于晶面择优取向1D纳米棒阵列 的结构特性及光化学光催化性能的研究具有一定的参 统计结果显示，湿化学反应24h后90％以上的ZnO纳 考价值，同时为环境污染尤其针对印染行业废水治理 米棒直径为80～140nm，长度为4扯m。在PL谱中观 察到3个荧光发射带，中心波长分别位于386nm的紫提供了一种新的可借鉴的方法。 带、524nm的绿带和450～500nm附近的蓝带。ZnO 2 实 验 纳米棒的光催化反应为一级反应，表观速率常数与甲 基橙的初始浓度有关。 2．1仪器和药品 关键词： ZnO纳米棒；晶面择优取向；锌片；光催化； 实验中所用的甲酰胺(CH。NO，天津市科密欧化 甲基橙 中图分类号： 0649；0643．32文献标识码：A 科密欧化学试剂开发中心)均为分析纯，锌片(上海国 药集团化学试剂有限公司)纯度为99．99％。 文章编号：1001．9731(2007)04—0648一04 FEI 1 引 言 XL30 纳米ZnO作为一种宽带隙，高激发能的n-型半导 体氧化物有独特的压电现象、高的电导率、光催化[13作 源为CuKa，德国，Bruker 用及散射和吸收紫外线的能力，可以应用于变阻器[2]， tachi 传感器【3棚，光催化等许多领域。特别是最近ZnO纳 米线(棒)在室温下光致紫外激光的发现[5]，极大地推 动了固体基底上制备高质量定向生长的ZnO纳米线 明电器有限公司)。 2．2 (棒)的研究。目前制备高质量ZnO纳米线(棒)阵列 ZnO纳米棒的制备 所采用的条件苛刻、操作复杂的气一液一固法(VLs)[6]或 采用两步生长的方法制备ZnO纳米棒，具体过程 化学气相沉积法(CVD)[73都不利于ZnO纳米线(棒) 阵列的大规模制备。而湿化学法操作简单，反应条件 350℃的马弗炉中退火1h，自然冷却至室温，得到表面 温和，无污染，是制备一维ZnO微结构的便捷方法。 覆有蓝紫色氧化膜的锌片l(2)将此修饰过的锌片放人 20ml 如Lori等人[8]用溶液湿化学法制备了znO纳米棒阵5％的甲酰胺水溶液(∥可)中，在65℃的烘箱里反 列，同时也存在制备过程复杂且重复性较差等缺点。 应24h后取出，用乙醇和去离子水清洗数次后在空气 Han等人[9]先利用磁控溅射法和湿化学法相结合的方中晾干，以备进一步表征使用。 法制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列。综上，科学家 2．3光催化实验 们