氧、氮掺杂硅基薄膜的荧光光谱.pdf

第 卷 第 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 23 , 1 .23, .1, 149-153 Vol No pp 年 月 2 0 0 3 2 Spectroscopy and Spectral Analysis February,2003 氧 氮掺杂硅基薄膜的荧光光谱~ 黄 , 石旺舟 俞 波, 汕头大学物理系 广东 汕头, 515063 摘 要 采用磁控溅射法制备了氧 氮掺杂的非晶硅膜 测量了薄膜的荧光光谱 获得了包括红光 绿光 蓝光~ , , ~ ~ 及紫光和紫外的强荧光发射 其荧光特性受氮 氧含量及沉积时基片温度的影响 结果表明 红光包括起源于, ~ G : 量子限制效应的宽带及氧缺陷能级引起的分立峰;绿光依赖于氮的掺杂 起源于氮的缺陷能级跃迁 其峰型和, , 峰位受基片沉积温度的影响;蓝光部分表现为多个分立峰的叠加 起源于复杂的氧缺陷能级 紫光部分包括一, ; 对双峰和多个宽发射带 发射带的强度受掺杂种类 掺杂浓度及沉积时基片温度的影响 当基片温度为, ~ G 750C~中等氧氮掺杂时 可获得强的绿光和紫光发射, G 主题词 非晶硅膜 氧和氮掺杂 荧光光谱; ; 中图分类号: 484.1 文献标识码: 文章编号:1000-0593(2003)01-0149-05 O A 引 言 1 样品制备与方法 硅是重要的微电子学材料 但硅的间接能隙特性严重制, 样品制备采用射频溅射方法 系统的本底真空度优于, 约了在光电子领域的应用 探索并改善硅基材料发光特性的 10-3 , 4504 的单晶硅用作溅射靶 基片材料采用单, , Pa # mm 研究一直是深受关注的课题G九十年代以来 该领域的研究在, 晶硅片,靶与基片间距离为 40 mm,基片可通过电阻法加热, 多孔硅及纳米硅等方面取得了重要进展 多孔硅 纳米硅及纳 加热温度根据实验要求设置 工作气体分别为, - , - 2 2 Ar O Ar N , ~ 米硅与二氧化硅镶嵌复合体系从制备技术上先后得到实 和Ar O- 2-N2 混合气体 其流量比根据实验要求设定 但总流, , [1,2] 量保持不变G 系统的工作气压为1.3