氧化铋薄膜的制备及光催化性能研究.pdf

王留刚等：氧化铋薄膜的制备及光催化性能研究 氧化铋薄膜的制备及光催化性能研究。 王留刚，张俊英，李春芝，杨靖安 (北京航空航天大学物理科学与核能工程学院材料物理与化学研究中心，北京100191) 摘要： 采用磁控溅射制备了氧化铋薄膜，研究了制 备工艺对薄膜的结构、微观形貌和光学性能的影响，并 英玻璃。在制备氧化铋薄膜之前要对衬底进行清洗： 对样品进行了光催化性能评价。结果表明，氧氩比和 首先在浓硫酸和双氧水(10：1)中加热煮沸，去除表面 退火温度显著影响薄膜的性能。当氧氩比为20：80污染物，然后将其放入丙酮溶液中超声处理，最后用去 时获得的薄膜具有最佳光催化性能；随退火温度升高， 离子水冲洗干净，放在70℃的烘箱中烘干备用。磁控 薄膜结晶性增强，并逐渐出现Bi和Si的氧化物，经溅射的参数如表1。 500℃退火的薄膜具有最强的光催化活性。 表1磁控溅射参数 关键词： Tablel Listof 氧化铋；磁控溅射；氧氩比；热处理；光催化 sputteringparameter 中图分类号：0612．5：0484文献标识码：A 溅射参数 文章编号：1001-9731(2011)02-0355-04 反应气体 02 l 引 言 氩气流量(mL／min)50～90 10～50 反应气体流量(ml。／min) 氧化铋因具有高的反射系数和介电常数，显著的 溅射气压(Pa) 1 光电性能以及容易光激发等特性深受关注，广泛应用 溅射功率(W) 80 于电子陶瓷材料、电解质材料、光电材料、高温超导材 靶基距(mm) 70 料、催化剂、核废物吸收材料、显像管荫罩涂层、无毒烟 溅射时问(s) 15～300 花、固体氧化物燃料电池、氧气传感器、变阻器、电致变 2．2 样品表征 色等领域u。3]。 近年来，氧化铋作为一种新型光催化剂倍受关注， 其常温下的禁带宽度为2．8eV，可被可见光激发。由$4200型扫描电子显微镜表征样品的表面形貌，工作 UV-30lO紫外一可见分 于其广谱特性，氧化铋可以矿化多种有机物，在实际污 电压为20kV；利用HITACHI 水处理中具有重大意义[4矗]。 光光度计对样品进行光学透过性能的检测；分别使用 VeecoDektak 目前制备氧化铋的方法主要有：化学沉淀法[6]、固 6M台式轮廓仪(台阶仪)和辐照计FZ- 相合成法n]、声化学方法‘引、溶胶一凝胶法阳]、化学水浴 A对薄膜的厚度与照射到样品表面的光强进行测试。 沉积[1…、水热法[1叼等。大部分研究人员把精力集中在2．3光催化活性评价 粉体制备上，而有关薄膜的制备则很少被报导。在实 光催化性能以氙灯照射下的罗丹明B(Rh。B)的 际应用过程中，需要考虑催化剂回收和重复利用问题， 降解速率来表征。光源选用功率为300W的氙灯，照 薄膜在这方面具有其独特优势。磁控溅射相对于其它 薄膜制备