氧化锌掺钇透明导电薄膜的制备及光电特性研究.pdfVIP

助 锨 财 料 氧化锌掺钇透明导电薄膜的制备及光电特性研究’ 亮2，韩圣浩1’2 宋淑梅1’2，杨田林1，辛艳青1，姜丽莉1，李延辉1，庞志勇2，林 摘要： 采用射频磁控溅射法，室温下在玻璃衬底上 较低的电阻率和较高的可见光透过率口矗]，已经逐渐成 制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的新 为ITO薄膜的最佳替代材料，是值得深入研究的新一 型透明导电薄膜YZO(ZnO掺杂Y：0。简称YZo)。 在薄膜厚度为600nm的情况下，研究了薄膜电学特性等掺杂的氧化锌薄膜已经得到了广泛的研究，在这其 随溅射功率和溅射气压的变化情况。X射线衍射谱表 中，掺铝氧化锌(AZo)不但表现出了优异的光电性能 明YZo薄膜是多晶膜，具有ZnO的六角纤锌矿结构，和稳定性，同时由于其低成本而受到广泛重视。人们 最佳取向为(002)方向。最佳溅射条件下制备的薄膜采用了不同的沉积方法制备AZO薄膜，包括磁控溅射 电阻率为8．71×lO-‘n·em，在可见光范围内平均透 技术…]、脉冲激光沉积[153以及溶胶一凝胶法等n引，其中 过率达到92．3％，禁带宽度为3．57eV。 磁控溅射是目前应用最多的方法，用此方法制备的薄 关键词： 透明导电薄膜；YZO；射频磁控溅射；电阻 膜质量较好，光电性能最优。尽管如此，寻找新的氧化 率；透过率 锌掺杂薄膜依然具有十分重要的意义。 中图分类号：TN304．2 文献标识码：A 本文中，采用射频磁控溅射方法，室温下在玻璃衬 文章编号：1001-9731(2010)09-1578—03底上成功制备了具有高透过率和低电阻率的掺钇氧化 1 引 言 下优点：(1)YZO薄膜可以成功地在窒温下制备，这有 condue- 透明导电氧化物薄膜(TCO，transparent利于简化薄膜的制备工艺；(2)钇属于稀土元素，而我 tive oxide)，由于具有较高的可见光透过率和优良的导国是稀土大国，故氧化钇比氧化铟便宜得多，同时氧化 电性能，半个多世纪以来在电子学领域得到了广泛的 锌的价格也远低于氧化铟，因此能大幅度降低透明导 应用，如平板显示器、太阳能电池、有机发光器件 电薄膜的制备成本；(3)在高溅射气压下，可以成功制 等[1‘3]。目前，应用较多的是铟锡氧化物薄膜(ITO，in-备高透过率和低电阻率的YZO薄膜，而溅射气压大有 diumtin oxide)，由于ITo具有高透过率、低电阻率和利于保持等离子体辉光稳定；(4)具有良好结晶的 高功函数等特点，在许多方面得到应用。但是，ITO存 YZ0薄膜可以在低射频功率下制备，这一点非常有利 在如下缺点：(1)需要在较高的衬底温度(300℃)下 于在柔性衬底上制备YZ0透明导电薄膜。总之，实验 制备或经较高的退火温度后续处理，才能获得较高的 结果表明，YZO薄膜是一种新型的氧化锌掺杂透明导 透过率；(2)铟在自然界中属于稀有金属，ln。O。价格电薄膜，它的成功制备或许会成为ITO薄膜的新的替 昂贵，因此ITO薄膜的制备成本较高；(3)ITO薄膜 代材料。 易受到氢等离子体的还原作用，功效降低。因此，人们 2 实 验 开始寻找新的透明导电薄膜来代替ITO薄膜。 ZnO原料充足、成本低廉、无毒、在氢等离子体中 具有稳定性[4]，而且它也是一种宽禁带的n型半导体离子束溅射联合设备制备的，溅射方式是射频磁控溅 l 材料，其禁带宽度为3．44eV