用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶.pdfVIP

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2015-09-17 发布于湖北
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用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶.pdf

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用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶.pdf

第38卷第3期人工晶体学报 v01．38No．3 2009年6月 JOURNALOFSYNT8ETICCRYSTAl5 June．2009 甩磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶晏眷愉，高斐，张佳雯，方晓玲，刘伟，孙杰，权乃承 (陕西师范大学物理与信息技术学院．西安710062) 备镶嵌于Si／Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X射线衍射(XRD)结果表明：退火样品中有Ge纳米晶生成。Ge纳米晶纳米晶被限制在Si02+ce层中且结晶性好。实验结果说明，相比于通常的单层介质膜方法，用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度，尺寸和空间分布的均匀性。一关键词：多层Ge纳米晶；磁控溅射；退火；超晶格方法；均匀性中围分类号：TN304．055 文献标识码：A of m PreparationMultilayeredNanocrystalsMagnetron by and Method Sputtering Annealing YAN Fei，ZHANG．『玩-狮m，FANG Chun．yu，C,dO Xiao—ling，LIUWei，SUN施，QUANNai-慨 0f Information Normal (SdlodPhyBi∞and T∞．hndogy．ShaanfiUnivelsity，Xikn710062，China) (Recdmd Demnicr 17蛳2008，∞酬2520嘴) Ge embeddedinSiandGe喇defilmshavebeen onSi Abstract：Muhilayerednanocrysta]s prepared substrate a RF bya(ce+Si02)／(Si02+C,e02)supedatticeapproach，usingmagnetronsputtering a technique埘tll indicatedtheformation Ge+Si02compositetarget．X-raydiffraction()【l如)measurement 0fGe a theGe—C,evibrationalmodedownwardshifted nanocrysfls．Bamanscattering印咖showed peal【of whichwas caused confinementof intheGe byquantum phonom nanocrystals．X—myphotoemission demonstratedthatGechemicalstateis C,eo and spectroscopy(XPS)analysis mainlyin(Ge+S