直流反应磁控溅射方法制备碳掺杂TiO2薄膜及其可见光活性.pdfVIP

物理化学学报(H么川‰甜凇‰e妇口) 蠢渤撇一C惫务臻S玩。，2007，23(11)：董662一1666 NOvembIef 【A币cle】 www．whxb。plm．耐u．cn 直流反应磁控溅射方法制备碳掺杂Ti02薄膜及其可见光活性 朱 蕾 崔晓莉‘ 沈杰 杨锡良 章壮健 (复旦大学材料科学系，上海 20043∞ 摘要： 容温下通过赢流反应磁控溅射的方法，利用碳钛镶嵌靶在AJ，魄气氛中制备了碳掺杂纳米Ti0：薄膜， 并通过x射线衍射(搿国)、uV．vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表，谯．xRD测试结果表明，靶中 碳帮钛鹩鬻积菇：小予O。l§拜季，碳掺杂的雩l入鸯髑予髓。2薄膜戆晶捂生长，并随靶孛碳垂稷豹增糯，薄貘的续鑫 度也相应提高．由透射光谱计算得到的禁带宽度表明，靶中碳和钛的黼积比为O．05时，薄膜的禁带宽度由纯 Ti02薄膜的3．4ev减小到3．1ev．光电测试结果表明，靶中碳和钛的面积比小于O．10时，碳的弓J入可以提高薄 簇懿竞毫蹶应，瑟获激淹疆lo时，溪觅竞下e V露薄蒺静毙逛漉密度势好．o醇潞·漾鼍但瑗穰铁的瑟积毙增搬 到O．16时，测得的薄膜光电响应异常． 关键词： 塞漉反应磁控溅射法；羰黻壤嵌靶；谈掺杂的二氧纯铁薄貘；竞电纯学 中图分类胥：0643；0644 VisilbI重e Ti02 Lightph◇toe重ectroche薹程i￡越Respo魏seo￡Ca堂bo魏·d◇ped ThinFilms DCReactiVe Preparedby MagnetronSputtering Z}形毛麓 C疆Ⅺ鑫。一“。 S雕N羹eY忿嘻GⅪ一毯粕g Z拽气NG孙韬勰g—li锺 ∞epn蝴黼m醇Mme啦lssc记眦e。fud吼Un如ers姆．Sh雠gh蕊20潞33．p．R．cht魏确 Abs拄ilct： were d娃揽t ea蜘l甚∞edTi02也搬燃fnspfepaoedby cu鹏nt∽)辩ac6w粼喀ne嘲lspH嘲a￡默黼 as we糟 lempefa搬辩遗勰恕双Xambience，Hs至nga斑aniHm组fget强c煳s雠witllgfap撕把picces．拍e蠡lmsprepafed chamc馏眺cd XRD byX侧，dif：fhction(XRD)，UV—Vis仃姐smissionspectra，鲫dphmoelec仃ochelllis廿了metbods．T11e ofmefjln：lSshowed ofc棚_bonwasben站ficialtot|Ie ofthefilms．Whentlleratio pattI：ms mat吐蟛doping crystallization fatio of afeaill斑e dec粥ased懿m3．4eV誊D3。leVwll雌嘲e of鞠拳a aTi觏国e target．1艟ba砖gap西钠e磊lms the ofareaof(=，Tiin