直流反应磁控溅射法制备VO2薄膜.pdfVIP

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2015-09-17 发布于湖北
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第28卷第2期真空科学与技术学报 2008年3、4月 a缸M强EJOURNALOFVACIrI丌订SCIENCEAND1EC}玎恸oGY 153 直流反应磁控溅射法制备V02薄膜陈长琦‘ 王君陈庆连方应翠r王旭迪 (合肥工业大学机械与汽车工程学院，真空技术与应用工程中心合肥23(X】09) GrowthofVanadiumDioxideFilmsDCReactive by MagnetronSputtering Chert Jun，Chert Xudi Changqi’，WangQiw,lian，FangYingeui，Wang (1he cent玎of㈣t≈dmo／ogyand珥p融耐加，boo／ofMach／n町and 230009，China) Automob／／e秭驴咖，点／qe／Uni椭yofl挑logy，l-Iefa AbstractVanadium DCreactive microstructuresand dioxide(V02)filmswe弛grownby magnelxonsputtering．The with force ofthefilmswerestudied properties X-raydiffraction(XRD)，X-rayphotoelectron someconventionalsuiface resultsshowthatthefilm the micr06copy(删)，and probes．The growth flowratioof and affectthemicrostrue- gas argon oxygen，substratetemperature，andannealingtemperature，significantly tures with of structurewereobtained and ofthefilms．For films content and properties example，the high v02 gooacrystal from in atan flowratio 1：12to1：13．andasubstrate of250t2．After argon／oxygengas ranging temperature a,me,,ling vacuumata of450℃for2hours，the ofthefilmsalso foundthatthe inthefilms temperature qu丑lity improves．We V205