半导体厂超纯水简介.pdfVIP

毫 微 米 通 訊 半導體廠超純水簡介 丁志華、戴寶通 毫微米元件實驗室 process) 的應用持續增加，但從晶圓表面和 一、前言 表面的缺陷層移除金屬污染物，濕式潔淨製 超大型積體電路 (ULSI) 的發展導致超潔 程 (wet cleaning process) 目前仍是極必須的。 淨技術 (ultraclean technology) 的需要，半導 體製造業對此技術的強烈需求超越其他領 二、超純水的性質 域，此技術也已轉移到電子製造業以外的其 他領域，如半導體設備製造業、生化科技、 純水 (pure water) 的製備約始於西元 及製藥和醫療的領域。超潔淨技術在建立一 1945 年，利用在美國商業化的離子交換樹酯 可完全再現 (completely reproducible) 的高價 (ion-exchange resin) 所產生，從那時起，純水 值超大型積體電路的製造，為先進半導體製 的品質有很大的改善。近年來，需被控制之 造的總體概念，藉由無污染物環境的產生-基 品質的變數 (variables of quality) 已逐漸多樣 板表面無塵粒 ( p a r t i c l e s ) 、雜質( i m p u r i t i e s ) 、 化，且純水的電阻率 (resistivity) 也已接近理 自然氧化層 (native oxide) 、和表面微粗糙 論的臨界值。因此，降低純水中微小粒子和 (surface microroughness)的要求，且允許以完 細菌的量至能偵測的極限是必要的，亦即有 全的製程參數控制來達成，組合元素、元 害的溶解雜質之濃度應降低到 ppb (parts per 件、與系統持續縮小化的發展趨勢，使潔淨 - 9 - 1 2 b i l l i o n ，1 0 ) 至 ppt (parts per trillion ，1 0 ) 的 室 (或無塵室，clean room ：C/R) 和其他廠務 標準，以改善在元件上形成極薄薄膜介面所 設施所支援的生產線日益彰顯其重要性。 需的潔淨度。原水 (natural water) 是九種同位 目前半導體技術的訴求在於能處理微細 素化合物 (isotopic compounds) 的混合，如表 製程，如0.15 m以下圖案之形成、厚度 1 0 0