半导体器件物理课件-MOSFET 及相关器件.pptVIP

CMOS(complementary MOS)由成对的互补p沟道与n沟道MOSFET所组成．由于具有低功率损耗以及较佳的噪声抑制能力，CMOS逻辑为目前集成电路设计的最常用技术．由于低功率损耗的需求，目前仅有CMOS技术被使用于ULSI的制造． 如图所示为CMOS反相器的结构，其中p沟道与n沟道MOSFET均为增强型晶体管。p与n沟道晶体管的栅极连接在一起，并作为此反相器的输入端，而它们漏极亦连接在一起，并作为反相器的输出端．n沟道MOSFET的源极与衬底接点均接地，而p沟道MOSFET的源极与衬底则连接至电源供应端(VDD) 。 CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) CMOS反相器 当输入电压为低电压时(即Vin=0，VGSn=0＜VTn)，n沟道MOSFET关闭，然而由于|VGSp|≈VDD|VTp|，(VGSp与VTp为负值)，所以p沟道MOSFET为导通态．因此，输出端通过p沟道MOSFET充电至VDD。 当输入电压逐渐升高，使栅极电压等于VDD时，因为VGSn=VDDVTn，所以n沟道MOSFET将被导通，而由于|VGSp|≈0|VTp|，所以p沟道MOSFET将被关闭．因此输出端将经n沟道MOSFET放电至零电势． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 如图所示为CMOS反相器的输出特性，其中显示Ip以及In为输出电压(Vout)的函数．Ip为p沟道MOSFET由源极(连接至VDD)流向漏极(输出端)的电流；In为n沟道MOSFET由漏极(输出端)流向源极(连接至接地端)的电流． 需注意的是在固定Vout下，增加输入电压(Vin)将会增加In而减少Ip。然而在稳态时，In应与Ip相同．对于给定一个Vin，可由In(Vin)与Ip(Vin)的截距，计算出相对应的Vout． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 如图所示的Vin-Vout曲线称为CMOS反相器的传输曲线。 CMOS反相器的一个重要的特性是，当输出处于逻辑稳态(即Vout=0或VDD)时，仅有一个晶体管导通，因此由电源供应处流到地端的电流非常小，且相当于器件关闭时的漏电流．事实上，只有在两个器件暂时导通时的极短暂态时间内才会有大电流流过。因此与其他种类如n沟道MOSFET、双极型等逻辑电路相比，其稳态时的功率损耗甚低． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) CMOS有低功率消耗及高器件密度的优点，使其适用于复杂电路的制作．然而与双极型技术相比，CMOS的低电流驱动能力限制了其在电路上的表现．BiCMOS是将CMOS及双极型器件整合在同一芯片上的技术．BiCMOS电路包含了大部分的CMOS器件以及少部分的双极型器件，它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自优势，给高速、高集成度、高性能的LSI及VLSI的发展开辟了一条新的道路．然而，这需增加额外的制作复杂度、较长的制作时间及较高的费用． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 双极型CMOS（BiCMOS） 半导体存储器可区分为挥发性(volatile)与非挥发性(nonvolatile)存储器两类。挥发性存储器，如动态随机存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM)，若其电源供应关闭，将会丧失所储存的信息。相比之下，非挥发性存储器却能在电源供应关闭时保留所储存的信息。目前，DRAM与SRAM被广泛地使用于个人电脑以及工作站，主要归功于DRAM的高密度与低价格以及SRAM的高速。非挥发性存储器则广泛应用于如移动电话、数码相机及智能IC卡等便携式的电子系统中，主要是因为它提供低功率损耗及非挥发性的能力。 MOS存储器 半导体存储器 如图所示为一DRAM的存储单元阵列。存储单元含有MOSFET以及一个MOS电容器(即1T/1C存储单元)。 MOSFET的作用就如同一个开关，用来控制存储单元写入、更新以及读出的操作，电容器则作为电容存储之用。 在写入周期中，MOSFET导通，因此位线中的逻辑状态可转移至储存电容器中。在实际应用上，由于储存端虽小但不可忽略的漏电流，使得储存于电容器中的电荷会逐渐地流失。因此，DRAM的工作是“动态”的，因为其信息需要周期性(一般为2ms～50ms)地重新更新。 MOS存储器 DRAM 1T/1C DRAM存储单元的优点在于其结构非常简单且面积小．为了增加芯片中的存储密度，按比例缩小存储单元的尺寸是必须的，然而由于电容器电极面积也会随之缩减，因而降低了电容器的储存能力． 为了解决这一问题，可利用高介电常数的材料采取代