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离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究.pdf
第29卷第6期 真空科学与技术学报
曲矾EsE oFVACUUMScⅡ州cEAND
2009年11、12月 JOURNAL TEC唧010GY
离子束溅射制备CuInSe2薄膜的研究
范平。 郑壮豪 张东平 粱广兴蔡兴民汝丽丽 李红奕
(深圳大学物理科学与技术学院，薄膜物理与应用研究所深圳5]s060)
Growthof FilmsIonBeam
CuInSe2by Sputtering
Fan
Pins。，ZhengZhuanghao，ZhaIlgDongpins，LiangG1砌西Ilg，CaiXingmin，RuLili，LiHongyi
Scienceand Thin
Film
(咖ofPhysicsTechnology，Instituteof Physics
AbstractThe were k9 substratebeam
CutaSe2(CIS)fdmson ion ofa
grown glass fan-shapedternary
by sputtering
the
of film asthesubstrate and
impacts conditions，such
compoundtarget．The growth temperature，annealingtemperature
the oftheCISfilmwere microstructures
time，and rate，on studied．Thesurface and
锄m既IliIlg deposition quality optical
werecharacterizedwith force m-
X—raydiffraction(XRD)，atomic
properties microscopy(AFM)andopticalprobes．The
suitsshowthatthe affectsthe CISfilms．For the
annealingtemperature
strongly chalcopyrite—structuredexample，under
conditions，the resulted CISfilmswithuniforlrl
proper optimized籼∞lillgtemperaturein}lighquality，compact crystal
ina orientation．
oaias，grownpreferential
beam
Ion thin
films，Subs
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