弱信号检测技术.doc

弱信号检测技术 (2006-10-21 19:40:43) 转载▼ 标签： 杂谈 分类： MSN搬家 弱信号检测技术简介? 作者：Wildog? 2004年12月???? ?科学技术发展到今天，人类对客观世界的认识越来越细微、越来越深入。极端条件下的物理实验已经成为人类认识自然的重要手段，而这些经常离不开及其微弱信号的检测。同时生产、生活的发展也经常要求用到弱信号检测技术。这里的弱信号通常指的是一些非常微弱的物理量，如弱光、弱声、弱磁、微小位移，温度等等，这些微弱物理量一般都要通过各种传感器转换成电信号来进行检测。但这种弱电信号常常淹没在很强（往往上千倍 ~ 数十万倍甚至更强）的背景噪声中，而且弱信号本身也往往存在涨落，这种涨落也构成噪声。因此从如此强的背景噪声中检测出所需要的信号，便成了一门很重要的技术。要做到弱信号检测，便离不开低噪声电子学。低噪声电子学是一门新兴的技术性科学，从1972 年起，人们便开始大力研究低噪声器件、设计低噪声电路，探索弱信号检测的新方法。在现代社会的生活、生产各领域，低噪声电子学的应用都是很广泛的。例如石油勘探、地震波的探测、地下核爆炸的检测、卫星信号的接收、医学仪器等等。下面从几个方面对弱信号检测技术做简单介绍：一、 噪声的来源与性质对一个信号检测系统而言，所谓噪声，从广义上来说，是指除本系统意图传输的信号之外的所有规则和不规则的干扰。它包括系统内部的噪声和外部干扰。其中内部噪声往往带有随机性，不同于外部环境的干扰。1、内部噪声：内部噪声主要来自元器件本身的噪声以及电路各部分相互耦合所形成的干扰。从一般性质来看，内部噪声一般分为热噪声、低频噪声、散弹噪声三类。热噪声是由导体中载流子随机热运动引起的。这种热运动的瞬时波动在导体两端会形成电势差，即噪声电压。对一个电阻元件，有V 2 n R =4 k T R △f 其中V n R 为热噪声电压，R 为电阻值，k 为玻尔茨曼常数，T为温度（开尔文）， △f为噪声带宽。热噪声往往在整个带宽内有均匀的噪声谱，因此又叫白噪声。低频噪声通常又称为1/f 噪声、过量噪声、闪烁噪声。在晶体管中这种噪声是由于载流子在半导体表面能态上的产生与复合引起的。在电阻内是由于电流流过不连续介质而产生的。在低频时，这种噪声要比热噪声大得多。对低频噪声，一般有 V 2 n R = K0 △f/f f 为频率，K0 为与器件有关的常数。但是在低频噪声中还有一种猝发噪声 （ Burst Noise ）。它使低频工作的放大器输出端突然出现大脉冲信号，其宽度和幅度都是随机的，这点需要引起注意。 散弹噪声是由器件内电流不均匀引起的。散弹电流的均方根值为In = 2eIDDf 其中ID 为器件内流过的直流电流，△f 为带宽。下面对各元器件所引起的噪声作简单介绍1） 晶体管晶体管除了有热噪声、散弹噪声1/f 噪声外，还存在分配噪声。载流子从发射极进入基区后，一部分在基区复合形成基极电流，另一部分被输送到集电极形成集电极电流。由于复合过程是随机的，存在一定涨落，使各电流的分配发生波动，从而引起分配噪声。下图是晶体管的大致噪声谱2） 场效应管场效应管的噪声来源主要有沟道中多数载流子随机热运动所引起的沟道噪声、栅极漏电流流过栅源PN 结产生的散弹噪声、1/f 噪声等。场效应管的噪声谱与晶体管类似。3） 电阻对电阻，除了热噪声外还有大量的过量噪声（即1/f噪声）。高频时热噪声占优势，而低频时1/f 噪声占优势。电阻的过量噪声电压 VnR =k0I DC2 R2 / f 。 由上式可以看出，降低电阻两端电压，即减少电流是减少1/f 噪声的有效办法。噪声也往往与电阻的生产工艺有关，金属膜电阻是一种比较好的低噪声电阻。4） 电容由于实际中的电容不同于理想器件，它存在一定的串联电阻和并联等效损耗电阻。这些都是噪声的贡献源。这种噪声主要在低频端，过量噪声占主要地位。而且要注意的是，在电路中往往用到电解电容这种比较理想的大电容器件。它作为旁路电容能很有效地抑制噪声，但是作为耦合电容则可能会增加噪声。主要是由于电解电容存在极性，如果反偏后则会产生尖峰噪声。5） 二极管二极管有正反两种接法。正偏时主要存在散弹噪声。反偏（如稳压管等）主要存在散弹噪声。在低噪声放大中不适合采用击穿二极管作耦合或偏置 元件。6） 电源电源的噪声一方面来自电压纹波（除电池外），另一方面来自串联内阻所引起的电压波动。内部噪声还有电路自身的自激震荡，耦合器件的相互干扰（如变压器漏磁）等等，好的电路设计和元件合理的布局有助于降低这些噪声。2、 外部噪声：外部噪声即外部环境的干扰，来源有很多。对不同的系统不同