第五章 双极型晶体管及相关器件exercises.docVIP

习题 5.2 双极型晶体管的静态特性 1. 一n-p-n晶体管其基区输运效率为0.998，发射效率为0.997，为10nA。 (a)算出晶体管的和； (b)若IB=0，发射极电流为多少? 2. 一理想晶体管其发射效率为0.999，集基校漏电流为10A，假设IB=0，请算出由空穴所形成的放大模式发射极电流。 3. 一p-n-p晶体管其射、基、集电极掺杂浓度分别为5×1018cm-3、2×lO17cm-3和1016cm-3。基区宽度为1.0m，且器件截面积为0.2mm2，当射基结正向偏压在0.5V且集基结反向偏压在5V时，请算出： (a)中性基区宽度； (b)射基结的少数载流子浓度． 4. 在习题3中的晶体管，其射、基、集电极中少数载流子的扩散系数分别为52cm2／s、40cm2／s和115cm2／s，而寿命分别为10-8s、10-7s和10-6 s。求出图4.5中的各电流成分(IEP、ICP、IEn、ICn和IBB)。 5. 利用习题3和4所得到的结果： (a)求出晶体管的端点电流IE、Ic和IB； (b)计算发射效率、基区输运系数、共基电流增益和共射电流增益； (c)讨论如何改善发射效率以及基区输运系数。 6. 参考式（14）的少数载流子浓度，画出在不同下，对x的图线。解释为何 足够小时，分布曲线会趋近于直线(如＜0.1＝。 7.