3ω方法测量各向异性SiC晶体的导热系数.pdfVIP

中国工程热物理学会 学科类别：传热传质学 学术会议论文 编号：103437 3ω方法测量各向异性 SiC 晶体的 导热系数 1,2 1 1,2 1,2 1,2 苏国萍 唐大伟 郑兴华 邱琳 杜景龙 （1.中国科学院工程热物理研究所，北京，100190 2.中国科学院研究生院，北京，100049） （Tel: 010 E-mail: suguoping@ ） 摘要: 使用3ω方法测量了各向异性材料碳化硅晶体三个不同方向的导热系数。在碳化硅晶体样品的表面布 置三个位置不同，一定尺度和形状的微型 Au 金属探测器。每个微型 Au 金属探测器的温度波动情况包含样 品不同方向的热信号。根据谐波法测量原理和各向异性材料碳化硅晶体的导热特性，可得到碳化硅晶体样 品x，y和z方向的导热系数。 关键词：SiC晶体 3ω方法 各向异性 导热系数 1. 引言 由于具有很高的导热系数、能够在高温下工作，碳化硅（SiC）晶体不仅可用做LED芯片 的衬底，而且广泛的用于微电子机械系统（MEMS）领域。因此，进行各向异性SiC晶体导热 系数的测量对于设计和分析微电子装置和热系统具有重要的意义[1]。SiC晶体的导热系数很 大程度上取决于其制备过程，如结构、杂质等，需要对SiC晶体的导热系数进一步测量研究。 而且SiC晶体中沿晶格的不同方向，原子排列的周期性和疏密程度不尽相同，由此导致晶体 在不同方向上的导热系数也不相同，具有很强的各向异性，要准确测量其值更加困难。 目前，对各向异性晶体常用的测量方法主要有闪光法，Zhang,J.等[2]用了四个样品，借 助闪光法测试Yb:Klu(WO ) 晶体沿四个方向的导热系数。闪光法不能测量透明材料，而且很 4 2 难测量纳米微米尺度的样品。若测量各向异性材料三个不同方向上的热物性，则需要同样属 性的三个样品。 Borca-Tasciuc, T.等[3]使用两线 3ω方法同时测量了各向异性Si/Ge超晶格薄膜的导热 系数，使用两个平行放置的微型金属探测器，同时作为加热器，宽度分别为 30 和 2 微米。 实验已证明窄的加热器对薄膜法向和面向的导热系数是敏感的，而宽的加热器对导热系数面 向的分量几乎不敏感。Ju等[4]采用两线 3ω法测试了薄膜面向和法向的导热系数，改变加热 膜和试样的尺度比可以反映导热系数的各向异性。Sun Rock Choi等[5]使用 3ω方法测量了 SiC薄膜的导热系数，在室温下沉积的SiC薄膜样品（498nm厚）的导热系数值为 1.44 W/m·K， 在 500℃沉积的SiC薄膜样品（520nm厚）导热系数值为 1.49 W/m·K，明显比SiC体材料的导 热系数（360 W/m·K(3C-SiC)）[14]要小。 本文使用 3ω方法，在同一个 SiC 晶体试样的表面制备三个宽度不同的微型金属探测器， 同时作为测温器。每个微型金属探测器的温度波动包含 SiC晶体试样内部不同方向的导热作 用。利用三个不同宽度的微型金属探测器可以确定 SiC 晶体在 x，y，z 方向的导热系数。 2. 3ω 方法测量原理 3ω 方法测量的精确度高、费用低，已经广泛的用于微米、纳米尺度下薄膜和体材料的 热电性质的实验研究 [6] [7] [8] 。3ω方法是在待测材料表面制备一定尺度和形状的微型金属探 测器，该微型金属探测器同时用作加热器和温度传感器。对微型金属探测器施加角频率为ω 的交流电流，由于微型金属探测器具有一定的电阻，因焦耳效应产生的热量将以 2ω的频率 对微型金属探测器和试样加热，探测器和试样吸收热量后产生频率为 2ω的温度波。对于纯 金属，温度的上升使电阻增加，增加的电阻的变化频率也是 2ω，增加的电阻与频率为ω的 交流电共同作用产生频率为 3ω的电压[6]。这个电压与温度波动有关。与光加热技术相比， 使用交流电加热的优势是：不仅传到样品的传热量可以精确控制，而且温升也可以准确的确 定，由此可以较容易的直接获得导热系数[9]。3ω方法使用微型加热器和微型