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Al2O3高k栅介质的可靠性.pdf
第 24 卷第 9 期 半 导 体 学 报 Vol. 24 ,No. 9
2003 年 9 月 CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Sep. , 2003
Al O 高 k 栅介质的可靠性
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杨 红 康晋锋 韩德栋 任 驰 夏志良 刘晓彦 韩汝琦
(北京大学微电子所 , 北京 100871)
摘要 : 利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为 345nm 的Al O 栅介质 MOS 电容,研究了 Al O 作为栅介质
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的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征. 击穿实验显示 ,样品的 Al O 栅介质的等效击穿场强大小为
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128MV/ cm. 在时变击穿的实验中 ,Al O 栅介质表现出类似于 SiO 的软击穿现象. 不同栅压应力作用的测试结果
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2
表明 ,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素 ,其对应的介质击穿电荷 QBD 约为 30～60C/ cm .
关键词 : 高 k 栅介质 ; 可靠性 ; 时变击穿
EEACC : 2560
中图分类号: TN386 文献标识码 : A 文章编号 : (2003)
电容样品. 具体的实验步骤为 :选用电阻率为 5 ～
1 引言 10Ω·cm ,掺杂浓度为 2 ×1015cm - 3 的pSi ( 100) 的衬
底 ,先利用热硫酸加双氧水 H SO ∶H O = 1 ∶1 的混
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随着半导体器件尺寸的缩小 ,SiO2 栅氧化层的 合溶液清洗衬底硅片 20min , 去离子水冲洗后在稀
厚度也需要相应地减薄. 然而 , 当 SiO 栅氧化层厚 ( )
2 释的氢氟酸溶液中 HF ∶H O = 1 ∶10 处理 20s , 除去
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度减薄到 15nm 以下时,显著的量子直接隧穿效应
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