AN1001IGBT以及MOSFET的驱动参数的计算方法.pdfVIP

AN-1001 应用指南 IGBT 以及MOSFET 的驱动参数的计算方法 简介 本应用指南介绍了在特定应用条件下门极驱动性能参数的计算方法。通过本应用手册得出的一些参数值可以作为 选择一款合适驱动器的基本依据。 CONCEPT 产品的数据手册中所给出的参数在实际应用中是可以直接使用的。驱动器内部功率损耗以及其他内部 参数不必进一步降额或者修正。 对于快速预览，公式1，4 及5 是最重要的。 所需驱动功率 驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。为了实现此功能，驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通 电压VGE_on ，或者是对门极进行放电至门极关断电压VGE_off 。 门极电压的两种电平间的转换过程中，在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。这个参 数我们称为驱动功率PDRV 。驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。 驱动功率可以从门极电荷量QGate ，开关频率fIN ，以及驱动器实际输出电压摆幅∆VGate 计算得出： P Q ⋅f ⋅∆V (Eq. 1) DRV Gate IN Gate 如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容)，那么驱动器也需要对该电容进行充放电，如图1 所示： + +15V RG RGE AC CGE -10V - 图1.带外接阻容的门级驱动 只要CGE 在一个周期内被完全的充放电，那么RGE 值并不影响所需驱动功率。驱动功率可以从以下公式得出： 2 P Q ⋅f ⋅∆V +C ⋅f ⋅∆V (Eq. 2) DRV Gate IN Gate GE IN Gate 以上公式是在门极驱动电流不发生谐振的条件下得出的。只要这个开关过程是 IGBT 门极从完全打开到完全关断 或者反过来，则驱动功率并不依赖于门极电阻及占空比的变化而变化。接下来我们来看如何确定门极电荷量 QGate 。 IGBT-D Page 1 AN-1001 应用指南 门极电荷量 QGate 绝不能从 IGBT 或 MOSFET 的输入电容Cies 计算得出。Cies 仅仅是门极电荷量曲线在原点(VGE =0V)时的一阶 近似值。功率半导体的门极电荷量曲线是极其非线性的。这就是为什么 QGate 必须通过对门极电荷量曲线在 VGE_off 到VGE_on 的区域内积分获得。 如果 QGate 在数据手册中已给出，在实际应用中一定要注意该参数给定的电压摆幅条件。不同的电压摆幅条件下 门极电荷量是不同的。举个例子：如果VGE 从 0V 到 +15V 条件下的门极电荷量是QGate ，那么没有办法很准确的 得到VGE 从-10V 到+15V 条件下的门极电荷量。 在这样的情况下，如果没有电荷量图表(QGate vs. VGE)，则实测电荷量QGate 是唯一的方法。图 2 显示的是一张典 型的驱动器开通过程的波形图。驱动器输出电流 IOUT 正在对功率器件的门极进行充电。因此，如图 2 所示，输 出电流曲线与时间轴围成的区域就是总的充电电荷量(见图 4 所示的原理图)。积分时间应宽到足以涵盖整个电压 摆幅(