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CMOSCMOS 模拟开关的选择与典型应用模拟开关的选择与典型应用 CMOSCMOS 模拟开关的选择与典型应用模拟开关的选择与典型应用 CMOSCMOS 模拟开关的选择与典型应用模拟开关的选择与典型应用 CMOSCMOS 模拟开关的选择与典型应用模拟开关的选择与典型应用 Maxim 公司北京办事处 魏智 编译 一、前言： 早期的模拟开关大多工作于±20V 的电源电压，导通电阻为几百欧姆，主要用于模拟信 号与数字控制的接口，近几年，集成模拟开关的性能有了很大的提高，它们可工作在非常低 的电源电压，具有较低的导通电阻、微型封装尺寸和极佳的开关特性。被广泛用于测试设备、 通讯产品、PBX/PABX 设备以及多媒体系统等。一些具有低导通电阻和低工作电压的模拟开关 成为机械式继电器的理想替代品。 模拟开关的使用方法比较简单，但在具体应用中应根据实际用途做合理的选择。本文主 要介绍模拟开关的基本特性和几种特殊模拟开关的典型应用。 二、正确选择 CMOS 开关： 1、导通电阻：传统模拟开关的结构如图 1 所示，它由 N 沟道 MOSFET 与 P 沟道 MOSFET 并联 构成，可使信号双向传输，如果将不同 VIN 值所对应的 P 沟道 MOSFET 与 N 沟道 MOSFET 的导 通电阻并联，可得到图 2 并联结构下导通电阻（R ）随输入电压（V ）的变化关系，如果不 ON IN 考虑温度、电源电压的影响，R 随 V 呈线性关系，将导致插入损耗的变化，使模拟开关产 ON IN 生总谐波失真（THD），这是设计人员所不希望的，如何将 R 随 V 的变化量降至最小也是设 ON IN 计新一代模拟开关所面临的一个关键问题。 另外，导通电阻还与开关的供电电压有关，由 图 3 可以看出：RON 随着电源电压的减小而增大，当 MAX4601 的电源电压为 5V 时，最大 RON 为 8 Ω；当电 源电压为 12V 时，最大 RON 为 3 Ω；电源电压为 24V 时，最大 R 仅为 2.5Ω。R 的存在会使信号电压产 ON ON 生跌落，跌落量与流过开关的电流成正比，对于适 当的电流这一跌落量在系统容许 的误差范围内 ，而 要降低 RON 所耗费的成本却很高，因此，应根据实际 需要加 以权衡 。RON 确定后，还需考虑通道间的失配 度与 RON 的平坦度。通道失配度用来描述同一芯片不 同通道间 R 的差别；R 的平坦度用于描述每一通 ON ON 道的 RON 在所规定的信号范围内的变化量。这两个参 数的典型值为 2Ω至 5Ω，对于低 RON 模拟开关，这 些参数仅为 0.5Ω。失配度/R 、平坦度/R 这两个 ON ON 比值越小，说明模拟开关的精度越高。 2、注入电荷：低 R 并非适用于所有的应用，较低的 R 需要 占据较大的芯片面积，从而产 ON ON 1/3 CMOSCMOS 模拟开关的选择与典型应用模拟开关的选择与典型应用 CMOSCMOS 模拟开关的选择与典型应用模拟开关的选择与典型应用 生较大的输入电容，在每个开关周期其充 电和放 电过程会消耗更多的电流。时间常数 t = RC， 充电时间取决于负载电阻（R）和电容 （C），一般持续几十 ns。这说明低 RON 开关具有更长的 导通和关断时间。Maxim 提供两种类型的开关，每种开关都有微型 SOT23 封装，MAX4501 和 MAX