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第六章 薄膜基础 6.1 薄膜基片 6.1.1 基片材料 1）氧化铝基片：1-5uin/in的氧化铝（ 99.5% ）陶瓷基片。 用途：微波电路、电阻网络、A/D或D/A转换器和其他各种模拟电路。 满足标准：良好的机械强度；原子级的光滑表面；对工艺中使用的化学材料不活泼；高热导率；高体电阻率和面电阻率；与薄膜层有相似的热膨胀系数；高机械强度；抗热冲击能力强；零孔性；基片波纹弯曲不超过1mil(25.4um)；低制造成本。 制造方法：煅烧 2）单晶基片：硅、锗和蓝宝石 制造方法：CZ，火焰熔化法 6.2 物理特性 6.2.1 基片的特性 表面纹理 表面平整度 孔隙度 体电阻率 介电特性 热膨胀 热导率 6.2.2 金属的特性 电特性 电导率 电迁移 机械特性 附着强度:两种不同物体或材料接合的机械强度。 附着失效：断裂或变形引起的机械失效 化学原因 应力：在膜生长初期膜厚非常薄时产生。 应力—压缩性，可导致起泡，---拉伸性，可导致微裂纹。若为各向同性压缩性应力，会变成蠕虫爬迹形，反之，若为各向同性拉伸性应力，导致干泥巴状泡。 6.3 薄膜导体 6.3.1导体材料和特性 第四章讲过 6.4 薄膜电阻 6.4.1 电阻特性 接触电阻：流经两个固体材料之间的电流路径呈现的阻值。 两个导体间，一个半导体+一个导体，一个导体+一个绝缘体 形成高接触电阻原因： 1.两个相连固体总接触面间不均匀的表面接触； 2.两个互相接触的固体间的电势不同。 接触电阻组成：一部分：接触界面下面的电流必须流过的薄膜的电阻；另一部分：因电阻表面和金属焊盘接触界面间形成合金混合物或化合物引起的界面电阻。 稳定性：通常将电阻在高温下（100-150℃）以额定电压满载加电1000-2000h，然后测量其阻抗的百分比变化。 可靠性：某物品在规定条件下和规定时间内实现所要求功能的概率。一个产品在规定时间内和规定条件下无故障地实现规定功能的概率。 表6.5 可靠性的表征指标 表6.6 可靠性分析和预测的阶段 p155 平均失效时间（MTBF）：产品相继故障间的平均时间 MTBF=1/失效率 注意：此定义假定所指产品可被修复且每次在失效后可重新投入使用。 可靠性： PS=Re-t/μ =e-tλ R：≥t无实效工作的概率；e=2.718；t:无失效工作时间；μ：平均失效时间； λ：失效率 6.4.2 电阻材料 鎳-铬 沉积方法：真空沉积 沉积问题：真空压力不同；铬膜的偏氧化 鎳-铬膜的配比控制问题： 闪蒸技术，溅射技术 优点：电阻好，不发生调阻后阻值漂移。 钽：阀金属家族成员 特点：氧气中热处理或阳极氧化后，会形成自我保护的坚硬的氧化层。 表6.8 钽膜类型比较 氮化钽： 方法：溅射 铬：真空沉积—电阻膜，铬-金导体的键合材料。 升华沉积---具有范围很宽的TCR值。 硅-铬：溅射 高电阻值。TCR=0 表6.9 溅射条件的硅铬膜的电阻值 金属陶瓷：一种金属（铬）+一种氧化物膜（一氧化硅） 方法：闪蒸 碳：由在基片的热表面上裂化或高温分解碳氢化合物形成。 6.5 薄膜电容 6.5.1 电容特性 薄的绝缘膜用作两个导电极板间的夹层材料，形成电容； 重要特性：存储电荷即存储电能的能力。 常见薄膜电容介质材料：蒸发的SiO2和阳极化的Ta2O5 介电强度 6.5.2 电容材料 一氧化硅 二氧化硅 氮化硅 氧化钽 钛酸钡 二氧化钛 氧化锆 工艺流程示意图 金属化电容器 工艺流程示意图 金属化电容器 工艺流程示意图 金属化电容器 工艺流程示意图 工艺流程示意图 工艺流程示意图 工艺流程示意图 工艺流程示意图 工艺流程示意图 工艺流程示意图 箔式电容器 6.6 薄膜电感 与薄膜电感相关的重要因素是它的尺寸应尽可能小并且具有低成本片式电感所有的电特性。 6.7 21世纪的技术 自学 * 薄膜分类（按功能及其应用领域）： ⑴?电学薄膜 ①?半导体器件与集成电路中使用的导电材料与介质薄膜材料 Al、Cr、Pt、Au、多晶硅、硅化物薄膜； SiO2、Si3N4、Ta2O5、SiOF薄膜。 ②?超导薄膜 YbaCuO系高温超导薄膜； BiSrCaCuO系高温超导薄膜； TiBaCuO系高温超导薄膜。 YBa2Cu3O7-x Film ③?光电子器件中使用的功能薄膜 GaAs/GaAlAs、HgTe/CdTe、a-Si：H、A-SiGe：H、a-SiC：H、a-SiN：H、a-Si/a-SiC等一系列晶态与非晶态超晶格薄膜。